[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在上述衬底上的薄膜晶体管，包括：沟道形成区域、源极区域、漏极区域、栅极绝缘膜、以及栅电极；

连接到上述栅电极的栅极布线；

连接到上述源极区域的源极布线；

连接到上述漏极区域的漏电极；

设置在上述衬底上的辅助电容；

连接到上述漏电极的像素电极；以及

覆盖上述薄膜晶体管及上述源极布线的绝缘膜，

其中，上述绝缘膜包括一个开口部分，并且

上述像素电极和上述辅助电容存在于形成有上述一个开口部分的区域。

2.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在上述衬底上的薄膜晶体管，包括：一对分别包括杂质的半导体层；以及沟道形成区域；

电连接到上述一对半导体层中的一个的第一布线；

电连接到上述一对半导体层中的另一个的第一电极；

连接到上述第一电极的像素电极；

设置在上述衬底上的辅助电容；以及

覆盖上述薄膜晶体管及上述第一布线的绝缘膜，

其中，上述绝缘膜具有一个开口部分，并且

上述像素电极和上述辅助电容存在于形成有上述一个开口部分的区域。

3.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在上述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，

其中，上述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘膜、第一沟道形成区域、第一源极区域、以及第一漏极区域，

上述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、上述栅极绝缘膜、第二沟道形成区域、第二源极区域、以及第二漏极区域；

连接到上述第一栅电极的第一栅极布线；

连接到上述第二栅电极的第二栅极布线；

设置在上述衬底上且连接到上述第一源极区域和上述第二源极区域的源极布线；

设置在上述衬底上且连接到上述第一漏极区域的第一漏电极；

设置在上述衬底上且连接到上述第二漏极区域的第二漏电极；

设置在上述衬底上的第一辅助电容和第二辅助电容；

连接到上述第一漏电极的第一像素电极；

连接到上述第二漏电极的第二像素电极；以及

使用与上述第一栅极布线和上述第二栅极布线相同的材料并在相同的层中形成的辅助电容线，

其中，第一辅助电容形成在上述第一像素电极的一部分和上述辅助电容线彼此重叠的区域中，

第二辅助电容形成在上述第二像素电极的一部分和上述辅助电容线彼此重叠的区域中；

形成在上述第一薄膜晶体管、上述第二薄膜晶体管、以及上述源极布线上的绝缘膜；

形成在上述绝缘膜中的一个开口部分，

其中，上述第一薄膜晶体管、上述第二薄膜晶体管、以及上述源极布线被上述绝缘膜覆盖，

上述第一辅助电容和上述第二辅助电容存在于形成有上述一个开口部分的区域；

形成在上述第一薄膜晶体管、上述第二薄膜晶体管、上述第一像素电极、上述第二像素电极、以及上述绝缘膜上的第一取向膜；

在上述衬底上的相对衬底；

形成在上述相对衬底下的相对电极；

形成在上述相对电极下的第二取向膜；以及

在上述第一取向膜和上述第二取向膜之间的液晶。

4.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

形成在上述薄膜晶体管、上述像素电极、以及上述绝缘膜上的第一取向膜；

设置在上述衬底上的相对衬底；

形成在上述相对衬底下的相对电极；

形成在上述相对电极下的第二取向膜；以及

在上述第一取向膜和上述第二取向膜之间的液晶。

5.根据权利要求1的半导体器件，

其中，上述像素电极为透明电极，并且

与上述像素电极的一部分重叠地形成反射电极。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中，上述反射电极包括铝、银、铬中的任何一种。

7.根据权利要求4的半导体器件，还包括：

在上述衬底上的共用布线；以及

在上述衬底上且连接到上述共用布线的多个共用电极。

8.根据权利要求7的半导体器件，其中，上述共用布线使用与上述栅极布线相同的材料并在相同的层中形成。