[发明专利]晶圆缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201210127237.7 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103377960A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
在待检测晶圆的抛光面上覆盖弱透光性材料层，所述抛光面由化学机械抛光形成；
对覆盖弱透光性材料层后的抛光面进行扫描，得到化学抛光液残留物信息。
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，还包括步骤：
将所述弱透光性材料层清除。
3.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述覆盖弱透光性材料层的方式为镀膜。
4.根据权利要求1～3任一项所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述弱透光性材料层为氮化钛层。
5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述氮化钛层的厚度为10纳米。
6.根据权利要求1～3任一项所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述弱透光性材料层为氮氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述对覆盖弱透光性材料层后的抛光面进行扫描的方式为可见光或激光扫描。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
