[发明专利]半导体元件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包含：

提供一基材，该基材上具有一栅极结构以及围绕该栅极结构的一间隙壁，其中该间隙壁的表面由氮化硅所组成；

进行一掺杂步骤，并在一光致抗蚀剂的保护下，在该栅极结构的至少一侧的该基材中形成一浅掺杂漏极；

进行一剥除步骤，而在一无氧环境下剥除该光致抗蚀剂；以及

在该剥除步骤后进行一保护步骤，而在一含氧环境下改质该间隙壁而得到一改质间隙壁；

形成由氮化硅所组成的一材料层覆盖该栅极结构以及该改质间隙壁；

在该保护步骤后进行一移除步骤，以移除一材料层，并实质上不影响该改质间隙壁。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中在该保护步骤中氧化该间隙壁，而在该保护步骤后，该间隙壁的表面由氮化硅与一种氧化物所组成。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中使用一无氧气体以形成该无氧环境，且该剥除步骤还包含使用一碱性物质清洁该基材、该栅极结构与该间隙壁。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，

其中该材料层全面性地(blanketly)形成在该基材上；

所述方法还包括：

在进行该移除步骤之前，进行一蚀刻步骤，移除部分的该材料层，而使得该材料层于该间隙壁外形成一牺牲间隙壁，并在该牺牲间隙壁两侧外的该基材内分别形成一凹槽；以及

进行一选择性外延成长(selective epitaxial growth,SEG)制作工艺，以在该些凹槽内分别形成一外延层。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，

其中该材料层作为提供一应力的一应力层，且全面性地(blanketly)形成在该基材上；

所述方法还包括：

对该基材进行一预非晶化步骤(pre-amorphorizing implant)；以及

在形成该材料层后，进行一应力转移步骤，使得该基材记忆该应力。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中在该移除步骤后，该改质间隙壁的尺寸损失小于5埃。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中使用一干式氧化与一湿式氧化其中的至少一种进行该保护步骤。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤还包含使用去离子水，以清洁该基材、该栅极结构与该间隙壁。

9.一种半导体元件的制作方法，包含：

提供没有光致抗蚀剂的一基材，该基材上具有经界定的一栅极结构以及位于该栅极结构上的一第一材料层，其中该第一材料层包含一种氮化物；

进行一保护步骤，而在一含氧环境下改质该第一材料层；

在进行该保护步骤后形成一第二材料层，位于该基材上；以及

在该保护步骤后进行一移除步骤，而使用一非氧化酸移除该第二材料层，而实质上不影响经改质的该第一材料层，其中该第二材料层包含氮化硅。

10.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中在该保护步骤中氧化该第一材料层，使得该第一材料层的表面包含氮化硅与一种氧化物。

11.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤使用去离子水清洁该基材、该栅极结构与该第一材料层。

12.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤使用一气体氧。

13.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤使用一等离子体氧。

14.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤使用一湿式化学处理。

15.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，还包含：

进行该保护步骤，而同时改质该第一材料层与一硬掩模，其中该硬掩模包含氮化物，而用来界定该栅极结构；

在该保护步骤后，形成包围该第一材料层的该第二材料层作为一牺牲间隙壁；

在该牺牲间隙壁包围该第一材料层时，对该硬掩模专门进行一去改质步骤；以及

在进行该去改质步骤后进行该移除步骤，而同时移除该第二材料层与部分该硬掩模。