[发明专利]基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统

权利要求书

1.一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，包括激发光源、微流控芯片、光纤、光电探测器、高压电源和计算机；其特征在于：所述激发光源采用光子晶体滤波片集成发光二极管(LED)，所述光电探测器采用光子晶体滤波片集成光电二极管(PD)，光子晶体滤波片集成LED激发光源和PD探测器结构是在衬底上先生长一层2μm的基于III-V族半导体材料的n型层，再生长一层反光层，然后生长一层基于III-V族半导体材料的有源层，最后生长一层200-300nm厚的基于III-V族半导体材料的p型层；最后通过刻蚀工艺，在p型层刻蚀出平板光子晶体滤波片图样。

2.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的III-V族半导体材料层是内部结构具有单向导电性的磷化镓、镓铝砷、砷化镓、氮化镓。

3.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的光子晶体的图案是矩形、方形、圆形、椭圆形；光子晶体孔宽度为20纳米至10微米，高度在60纳米至10厘米。

4.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的有源层结构是n个周期的InGaN/GaN量子阱或量子点结构，其中n不小于4。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，反光层是金属层或分布式布拉格反射镜(DBR)。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的衬底采用晶体材料、有机材料。

7.根据权利要求5所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，金属层的金属是指Al、Ag、Au、Cu。 

8.根据权利要求6所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，晶体材料包括硅、砷化镓、磷化铟、蓝宝石。