[发明专利]用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法

权利要求书

1.一种生成包括FinFET结构布局的集成电路(IC)设计的方法，所述方法包括：

接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域和多个平面接触件，每个平面接触件都与平面有源区域相关联；

限定多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与平面有源区域相对应；

确定所述多个FinFET有源区域中的至少一个是否小于对应的平面有源区域；

确定所述多个平面接触件中的至少一个没有与对应的FinFET有源区域充分接触；以及

创建包括金属线的金属层，以将所述多个平面接触件中的至少一个连接至对应FinFET有源区域的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将金属层布局转印至光掩模。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括多条金属线，所述多条金属线与FinFET沟道宽度方向平行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，与FinFET沟道宽度方向平行的所述多条金属线具有可变宽度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属层还包括一条或多条金属线，所述一条或多条金属线与FinFET沟道方向平行。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述FinFET沟道宽度方向上的所述多条金属线中的一条或多条与所述FinFET沟道方向上的所述一条或多条金属线连接。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个平面有源区域中的一个或多个具有T形凸起。

8.一种生成包括FinFET结构布局的集成电路(IC)设计的方法，所述方法包括：

接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面伪区域、多个平面有源区域和多个平面接触件，每个平面接触件都对应于平面有源区域；

限定多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与平面有源区域相对应，其中，所述多个FinFET有源区域中的至少一个小于对应的平面有源区域，以及其中，所述多个平面接触件中的至少一个没有与对应的FinFET有源区域充分接触；

限定多个FinFET伪区域，所述多个FinFET伪区域对应于平面伪区域；

创建金属层，以将所述多个平面接触件中的至少一个连接至对应的FinFET有源区域；以及

在所述FinFET伪区域的金属层中添加伪金属线。

9.一种FinFET结构布局，包括：

半导体衬底，包括多个FinFET有源区域；

多个鳍，位于每个FinFET有源区域内；

栅极，具有与所述半导体衬底平行且与每个FinFET有源区域内的多个鳍的长度垂直延伸的栅极长度；以及

多个金属部件，将所述多个FinFET有源区域的一部分的源极区域或漏极区域连接至多个接触件，其中，所述多个金属部件包括与FinFET沟道方向平行的多条金属线以及与FinFET沟道宽度方向平行的多条金属线。

10.一种光掩模，包括将多个平面接触件电连接至对应的FinFET有源区域的金属层，其中，所述金属层与FinFET栅极共面。