[发明专利]主动式有机发光二极管显示器的像素的驱动电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种主动式有机发光二极管显示器的像素的驱动电路，尤指一种改变像素的布局方式，以增加电流驱动能力，进而达到节省功耗的目的的主动式有机发光二极管显示器的像素的驱动电路。 

背景技术

请参照第1A图，第1A图是为主动式有机发光二极管显示器(Active Matrix Organic Lighting-Emitting Diode, AMOLED)的传统式像素单元100的示意图。当像素单元100中的薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)102接收扫描线104所输出的控制讯号VG是为高电位VDDG时，薄膜晶体管102开启以及数据线106根据数据电压VD将像素单元100中的储存电容CS充放电至相对应的灰阶电压Vgray。此时，薄膜晶体管102的闸极电位是为控制讯号VG的电位VDDG。然后，当薄膜晶体管102根据控制讯号VG关闭时，薄膜晶体管108即可根据灰阶电压Vgray，产生一驱动电流I_OLED以驱动一有机发光二极管110。另外，如第1A图所示，Cgd是为薄膜晶体管102的寄生电容。请参照第1B图，第1B图是为说明当薄膜晶体管102根据控制讯号VG关闭时，因为薄膜晶体管102的寄生电容Cgd漏电的影响，造成储存电容CS的灰阶电压Vgray变动的示意图。如第1B图所示，当薄膜晶体管102根据扫描线104所输出的控制讯号VG关闭(薄膜晶体管102的闸极电位是为低电位VEEG)时，储存电容CS的灰阶电压Vgray会因为薄膜晶体管102的寄生电容Cgd漏电的影响而产生一电压变化量ΔV，其中电压变化量ΔV是由式(1)，以及驱动电流I_OLED是由式(2)所决定：

                (1)

         (2)

在式(1)中，Vgh是为薄膜晶体管108的闸极端所接收的一高电压和Vgl是为薄膜晶体管108的闸极端所接收的一低电压。在式(2)中，V_108GS是为薄膜晶体管108的闸源极电压、V_108G是为薄膜晶体管108的闸极电压(等于Vgray－ΔV)、V_108S是为薄膜晶体管108的源极电压以及V_108TH是为薄膜晶体管108的阀值电压。因此，由式(2)可以知道当电压变化量ΔV越小则薄膜晶体管108的电流驱动能力将会越好，进而达到节省功率消耗。

由式(1)可知，增加储存电容CS的电容值或是增加薄膜晶体管102的寄生电容Cgd都可降低电压变化量ΔV。但是增加储存电容CS的电容值意味着要增加储存电容CS的面积，导致开口率下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种主动式有机发光二极管显示器的像素的驱动电路，其不仅可增加一面板的亮度均匀度，亦可增加该驱动电路的电流驱动能力，进而达到节省功耗的目的。

本发明采用以下方案实现：一种主动式有机发光二极管显示器的像素的驱动电路，该驱动电路包含一第一开关、一储存电容及一第二开关。该第一开关系形成于一数据线、一扫描线、一第一电极与一有机发光二极管之间，该第一开关具有一第一端，耦接于该数据线，一第二端，耦接于该扫描线，及一第三端；该储存电容是形成于该数据线、该扫描线、该第一电极与该有机发光二极管之间，该储存电容的第一端耦接于该第一开关的第三端；该第二开关系形成于该数据线、该扫描线、该第一电极与该有机发光二极管之间，该第二开关具有一第一端，耦接于该第一电极，一第二端，耦接于该储存电容的第一端，及一第三端，耦接于该有机发光二极管；其中该第二开关的第二端是延伸至该第一电极的后方及该有机发光二极管的下方。

在本发明一实施例中，其中该第一开关、该储存电容及第二开关的制程是一非晶硅(A-Si)薄膜晶体管制程。

在本发明一实施例中，其中当该第一开关开启时，该储存电容根据该数据在线的数据电压，充放电至相一对应的灰阶电压；当该第一开关关闭时，该第二开关是用以根据该储存电容所储存的该对应的灰阶电压，产生一驱动电流以驱动该有机发光二极管。

在本发明一实施例中，其中该对应的灰阶电压，在该第一开关开启与关闭时的一电压变化量ΔV是由下式所决定：

；

其中：

Vgh是在该第一开关开启时，该第二开关的第二端所接收的一高电压；

Vgl是在该第一开关关闭时，该第二开关的第二端所接收的一低电压；

CS是该储存电容；

Cgd是该第一开关的寄生电容；及