[发明专利]SiC颗粒表面镀钨的方法无效
| 申请号： | 201210125165.2 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102642025A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;吴忠;沈彬;胡文彬 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 颗粒 表面 方法 | ||
1.一种SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、对SiC颗粒表面进行氢氟酸清洗及粗化处理；
步骤二、对步骤一处理后的SiC颗粒进行活化-敏化处理；
步骤三、将步骤二处理后的SiC颗粒浸滞在偏钨酸铵溶液中进行浸滞处理；
步骤四、将步骤三处理后的SiC颗粒低温烘干后用氢气进行还原，得到镀覆钨的SiC颗粒。
2.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤一中的氢氟酸质量百分比浓度为10～30％。
3.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤一中的清洗及粗化处理具体为：将SiC颗粒放入氢氟酸，超声振荡，取出用去离子水冲洗，低温烘干。
4.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤二中活化-敏化液的配制为：每升活化-敏化液包含PdCl2 0.25g、SnCl2 15g、NaCl 80g、HCl0.1L以及余量的水。
5.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤二中浸滞处理具体为：将步骤一处理后的SiC颗粒浸没在活化-敏化液中，50～70℃超声处理，去离子水清洗，低温烘干。
6.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤三中偏钨酸溶液的浓度为200～280g/L。
7.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤三中浸滞处理具体为：将步骤二处理后的SiC颗粒浸滞在偏钨酸铵溶液中，超声振荡20～30分钟。
8.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤四中低温烘干温度为50～70℃。
9.根据权利要求1所述的SiC颗粒表面镀钨的方法，其特征在于，所述步骤四中用氢气还原具体为：将步骤三处理后的SiC颗粒在氢气气氛下于800～900℃还原2～3小时，冷却后取出。
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