[发明专利]电表在线自更新方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别涉及Flash存储器在线自更新技术。

背景技术

目前，很多微控制单元(Micro Controller Unit，简称“MCU”)都将大量外围器件如闪存芯片Flash等集成到其内部，就形成了片上系统(System On Chip，简称“SOC”)。SOC系统更加集成化，功能化，低功耗。Flash存储器技术更加成熟，与原有存储器相比具有低功耗、高密度、读取速度快、可在线编程等特点。SOC芯片的Flash存储器的编程模式有烧写器模式和在线编程模式两种。烧写器模式，是指通过烧写器上的控制芯片通过Jtag口或者其它通讯协议口来实现对Flash的擦除和写入。在线编程模式，是指在没有外部烧写器参与的情况下，在其内部程序运行的情况下来实现对Flash存储器的的修改。

在申请号为200810234786.8的中国专利中，将程序拷贝到数据存储器XRAM中，然后将XRAM映射到程序存储器某个地址范围中，中央处理器(Central Processing Unit，简称“CPU”)不断去该地址范围取指执行，完成程序的在线更新。

将更新包拷贝至4K XRAM中，然后再将这4K XRAM映射到程序存储器的0xF000-0xFF FF，程序运行跳至0xF000后，开始完成Flash在线更新功能。但是，本发明的发明人发现，该方法有几个不足之处：首先XRAM掉电不保存数据，因而整个过程一旦出现掉电数据就丢失，所有过程需要重新来一遍。在大批量生产过程中，必然生产效率非常低下。其次，因为是在4K范围内运行程序，因而代码不能超过4K。再次，更新包自更新不具备灵活性，只能做一次性功能的更改，无法实现多次定位的程序更新功能。最后，这个函数最好是只能固定在Flash最后4K地址之内。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电表在线自更新方法及其装置，即使掉电之后再次上电仍然可以继续自更新，数据不会丢失，更新也不会出错。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式公开了一种电表在线自更新方法，包括以下步骤：

处理器执行第一非易失性存储器中的更新程序，对第二非易失性存储器中的主程序进行更新；

如果处理器检测到掉电事件，则将更新程序当前的运行地址保存到第三非易失性存储器中；

重新上电后，处理器从第三非易失性存储器中读出当前的运行地址，从该地址起继续运行更新程序。

本发明的实施方式还公开了一种电表在线自更新装置，包括：

更新单元，用于执行第一非易失性存储器中的更新程序，对第二非易失性存储器中的主程序进行更新；

检测单元，用于检测是否发生掉电事件；

地址保存单元，用于当检测单元检测到掉电事件时，将更新程序当前的运行地址保存到第三非易失性存储器中；

地址读取单元，用于重新上电后，从第三非易失性存储器中读出当前的运行地址，更新单元从该地址起继续运行更新程序。

本发明实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：

一旦检查到掉电，就把程序运行的地址保存到第三非易失性存储器中，待再次上电读出第三非易失性存储器中的信息，继续完成电表在线自更新功能，这样即使掉电之后再次上电仍然可以继续自更新，数据不会丢失，更新也不会出错。

进一步地，在更新程序中加入一定的通信协议，可以更加方便地修改指定位置的数据和需要改变的数据长度，自更新更加具备灵活性。

进一步地，更新程序中预置多种更新功能，根据外部指令触发某个更新功能，相对于常规的补丁更新方式而言，本发明更新方式不需要大数据量地下载补丁，对于外部通信带宽的要求很小，对于发布更新指令的更新服务器的要求也很低。

进一步地，第一非易失性存储器使用数据段地址并映射到程序段地址，或者说一个物理存储器同时拥有程序段地址和数据段地址，从而可以在有更新程序的时候使用程序段地址，以便顺利执行更新程序，在没有更新程序的时候可以将第一非易失性存储器用作数据存储器。

附图说明

图1是本发明第一实施方式中一种电表在线自更新方法的流程示意图；

图2是SOC自带Flash存储器在逻辑空间的组成部分示意图；

图3是本发明第一实施方式中一种电表在线自更新方法的流程示意图；

图4是本发明第二实施方式中一种电表在线自更新装置的结构示意图。

具体实施方式