[发明专利]闪存的存储单元及其形成方法

权利要求书

1.一种闪存的存储单元，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底表面的绝缘层；

位于所述绝缘层表面的浮栅层；

位于所述半导体衬底表面且贯穿所述浮栅层和绝缘层的源线层，且所述源线层覆盖所述浮栅层，所述源线层与浮栅层电隔离；

位于所述浮栅层和源线层两侧，以及绝缘层表面的控制栅层，且所述控制栅层与源线层和浮栅层电隔离；

位于所述控制栅层、源线层和半导体衬底表面的应力层。

2.如权利要求1所述闪存的存储单元，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。

3.如权利要求1所述闪存的存储单元，其特征在于，所述应力层的厚度为300～1200埃。

4.如权利要求1所述闪存的存储单元，其特征在于，所述源线层、浮栅层和控制栅层的材料为多晶硅。

5.如权利要求1所述闪存的存储单元，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅。

6.如权利要求1所述闪存的存储单元，其特征在于，所述源线层通过介质层与下方的浮栅层以及两侧的控制栅层电隔离，且所述介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的叠层结构。

7.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成第一氧化硅层；

在所述第一氧化硅层表面形成浮栅多晶硅层；

在所述半导体衬底表面形成贯穿所述第一氧化硅层和浮栅多晶硅层的源线层，且所述源线层覆盖部分浮栅多晶硅层，且所述源线层与浮栅多晶硅层电隔离；

以所述源线层为掩膜，去除部分浮栅多晶硅层，并暴露出第一氧化硅层，形成浮栅层；

在所述源线层和浮栅层两侧的第一氧化硅层表面形成控制栅层，且所述控制栅层与所述源线层和浮栅层电隔离；

在所述控制栅层、源线层和半导体衬底表面形成应力层；

对所述应力层以及所述应力层下方的控制栅层、源线层、浮栅层和半导体衬底进行热退火。

8.如权利要求7所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。

9.如权利要求7所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述应力层的厚度为300～1200埃。

10.如权利要求7所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述热退火的温度为650～1200℃，所述热退火的保护气体为氮气。

11.如权利要求7所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层、浮栅层和控制栅层的材料为多晶硅。

12.如权利要求7所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层、浮栅层和控制栅层的形成方法包括：

在所述浮栅多晶硅层表面形成第二氧化硅层；

在所述第二氧化硅层表面形成第一氮化硅层；

刻蚀部分所述第一氮化硅层和第二氧化硅层直至暴露出浮栅多晶硅层为止，形成第一开口；

在所述第一开口侧壁和底部形成介质层；

在所述第一开口两侧的侧壁的介质层表面分别形成多晶硅侧墙，且所述多晶硅侧墙的顶部低于第一氮化硅层的表面；

以所述多晶硅侧墙为掩膜去除部分介质层和浮栅多晶硅层直至暴露出第一氧化硅层表面，形成第二开口；

在所述第二开口的多晶硅侧墙表面形成第一侧墙；

在形成第一侧墙后，在所述第一开口侧壁的第一氮化硅层表面形成第二侧墙，并去除第二开口底部的第一氧化硅层直至暴露出半导体衬底；

在所述第二开口底部的半导体衬底内形成源区；

在所述第一开口和第二开口内填充满多晶硅，形成源线层，且所述源线层的表面与第一氮化硅层的表面齐平；

以源线层为掩膜，去除第一氮化硅层、以及部分第二氧化硅层、浮栅多晶硅层和第一氧化硅层，形成浮栅层并暴露出半导体衬底；

在所述源线层、浮栅层和半导体衬底表面形成绝缘层；

在所述源线层和浮栅层两侧的绝缘层表面形成控制栅层；

以所述控制栅层为掩膜去除半导体衬底和源线层表面的绝缘层和第一氧化硅层。

13.如权利要求12所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述绝缘层、第一侧墙和第二侧墙的材料为氧化硅。