[发明专利]一种双极型有机光敏场效应管无效
申请号: | 201210124471.4 | 申请日: | 2012-04-24 |
公开(公告)号: | CN103378291A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 彭应全;姚博;谢吉鹏;吕文理;杨汀;高鹏杰 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双极型 有机 光敏 场效应 | ||
1.一种双极型有机光敏场效应管,其特征在于它由衬底、栅极、绝缘栅、有机光敏沟道、载流子阻挡层、漏极和源极组成。
2.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于载流子阻挡层位于源极和有机光敏沟道,以及漏极与有机光敏沟道之间。
3.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于,当有机光敏沟道为p-型时,源、漏电极采用高功函数金属,如Au等,而载流子阻挡层为空穴阻挡层,采用低HOMO能级(HOMO绝对值大)电子传输型材料。当有机光敏沟道为n-型时,源、漏电极采用低功函数金属,如Al等,而载流子阻挡层为电子阻挡层,采用高LUMO能级(LUMO绝对值小)空穴传输型材料。
4.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于沟道的薄膜结构不受限制,可以是有机非晶、纳米晶、多晶和晶体薄膜,也可以是掺杂或混和薄膜。
5.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于载流子阻挡层的薄膜结构不受限制,可以是非晶、纳米晶和多晶。
6.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于载流子阻挡层的材料种类不受限制,可以是有机小分子、聚合物,配合物,也可以是无机半导体材料,或超薄绝缘材料。
7.权利要求1所述的双极型有机光敏场效应管其特征在于器件结构不受限制,可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触、顶栅顶接触结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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