[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：

在基板上形成剥离层；

在所述剥离层上形成无机化合物层；

在所述无机化合物层上形成第一电极层和导电层；

在所述第一电极层上形成含有有机化合物的层；

在所述含有有机化合物的层上形成第二电极层，以形成元件，其中所述第二电极层的一部分与所述导电层接触；并且

在所述剥离层将所述第一和第二电极层以及所述含有有机化合物的层从所述基板剥离。

2.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述无机化合物层是绝缘层。

3.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述无机化合物层包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、以及氮化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述剥离层由包含钨、钼、氧化钨、氧化钼、氧氮化钨、以及氧氮化钼中的至少一种的层形成。

5.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述第一电极层包含铝、铝的合金、铕、铕的合金、镱、以及镱的合金中的至少一种，或者铟锡氧化物、含硅的铟锡氧化物、包含2至20原子％的氧化锌的氧化铟、钛、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、氮化钛、氮化钨、以及氮化钼中的至少一种。

6.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述第二电极层包含铝、铝的合金、铕、铕的合金、镱、以及镱的合金中的至少一种，或者铟锡氧化物、含硅的铟锡氧化物、包含2至20原子％的氧化锌的氧化铟、钛、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、氮化钛、氮化钨、以及氮化钼中的至少一种。

7.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述含有有机化合物的层包括发光层。

8.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述含有有机化合物的层是产生光电流的层。

9.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，其中所述元件是存储元件、发光元件、光电转换元件、太阳能电池、以及晶体管中的一种。

10.根据权利要求1的半导体器件的制作方法，还包括如下步骤：

在所述第一电极层上覆盖所述第一导电层的端部地形成有机绝缘膜。

11.一种无源矩阵型半导体器件的制作方法，其包括根据权利要求1中所述的步骤。

12.一种半导体器件，包括：

具有挠性的第一基板；

提供在所述第一基板上的剥离层；

提供在所述剥离层上的无机化合物层；

提供在所述无机化合物层上的第一电极层；

提供在所述无机化合物层上的导电层；

提供在所述第一电极层上的含有有机化合物的层；

提供在所述含有有机化合物的层上的第二电极层；以及

具有挠性并且提供在所述第二电极层上的第二基板，

其中所述第二电极层的一部分与所述导电层接触。

13.根据权利要求12的半导体器件，其中所述无机化合物层是绝缘层。

14.根据权利要求12的半导体器件，其中所述无机化合物层包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、以及氮化硅中的至少一种。

15.根据权利要求12的半导体器件，其中所述剥离层由包含钨、钼、氧化钨、氧化钼、氧氮化钨、以及氧氮化钼中的至少一种的层形成。

16.根据权利要求12的半导体器件，其中所述含有有机化合物的层是当将电压施加给所述第一导电层和所述第二导电层时，其结晶状态、导电性、以及形状改变的层。

17.根据权利要求12的半导体器件，其中所述含有有机化合物的层包括发光层。

18.根据权利要求12的半导体器件，其中所述含有有机化合物的层是产生光电流的层。

19.根据权利要求12的半导体器件，其中所述第一电极层的端部被有机绝缘层覆盖。

20.一种无源矩阵型半导体器件，其包括根据权利要求12-19任一项的半导体器件。