[发明专利]冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法

权利要求书

1.冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法，所述方法包括常规制绒过程，其特征在于，所述方法还包括在所述常规制绒过程之前设置有预处理过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理过程为将清洗后待制绒的硅片置于盛有预处理液的预处理槽中。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预处理液包括碱性物质和氧化剂混合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预处理液包括去离子水。

5.根据权利要求3所示的方法，其特征在于，所述碱性物质的质量百分比浓度在0.5％-10％之间。

6.根据权利要求3所示的方法，其特征在于，所述氧化剂的质量百分比浓度在2.5％-8％之间。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碱性物质选自氢氧化钠，氢氧化钾，氨水或硫酸氢钠。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水或臭氧。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理过程的工作温度为30-60℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理过程持续时间为30秒到15分钟之间。

11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预处理液为氢氧化钾，双氧水以及去离子水的混合物。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钾的质量百分比浓度为0.5％-10％，所述双氧水的质量百分比浓度为2.5％-8％，所述去离子水的质量百分比浓度为82％-97％。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，在工作温度为30-60℃的条件下，将所述待制绒的硅片置于盛有所述预处理液的预处理槽中30秒到15分钟。