[发明专利]一种为存储单元提供稳定电压的系统有效
申请号: | 201210122819.6 | 申请日: | 2012-04-24 |
公开(公告)号: | CN103377696A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 刘铭;张赛;程莹 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;张爱莲 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 单元 提供 稳定 电压 系统 | ||
1.一种为存储单元提供稳定电压的系统,其特征在于,该系统包括:恒流电路、电流镜、P沟道金属氧化物半导体场效应管MP1、六个N沟道金属氧化物半导体场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6;其中,
所述电流镜上电流相同的两端分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连;
MP1的栅极与MN6的栅极相连,进而接一使能信号;
MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连;
MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连;
MN1的栅极与MN2的栅极均接电源;MN1的源极与MN2的漏极相连;MN2的源极接所述存储单元;
MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述恒流电路包括:恒压源和一个工作在饱和区的N沟道金属氧化物半导体场效应管MN7;
所述恒压源的输出端接MN7的栅极;
MN7的漏极作为所述恒流电路的输出端;
MN7的源极接地。
3.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述电流镜包括两个源极均与所述电源相连的P沟道金属氧化物半导体场效应管MP2和MP3;
MP3的栅极与漏极相连;
MP2的栅极与MP3的栅极相连;
MP3的漏极以及MP2的漏极作为所述电流镜上电流相同的两端,分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述使能信号为低电平,以使MN6处于关断状态。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,MN4工作于线性区。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,MN3工作于饱和区。
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