[发明专利]一种为存储单元提供稳定电压的系统有效

专利信息
申请号: 201210122819.6 申请日: 2012-04-24
公开(公告)号: CN103377696A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 刘铭;张赛;程莹 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨;张爱莲
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 单元 提供 稳定 电压 系统
【权利要求书】:

1.一种为存储单元提供稳定电压的系统,其特征在于,该系统包括:恒流电路、电流镜、P沟道金属氧化物半导体场效应管MP1、六个N沟道金属氧化物半导体场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6;其中,

所述电流镜上电流相同的两端分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连;

MP1的栅极与MN6的栅极相连,进而接一使能信号;

MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连;

MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连;

MN1的栅极与MN2的栅极均接电源;MN1的源极与MN2的漏极相连;MN2的源极接所述存储单元;

MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述恒流电路包括:恒压源和一个工作在饱和区的N沟道金属氧化物半导体场效应管MN7;

所述恒压源的输出端接MN7的栅极;

MN7的漏极作为所述恒流电路的输出端;

MN7的源极接地。

3.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述电流镜包括两个源极均与所述电源相连的P沟道金属氧化物半导体场效应管MP2和MP3;

MP3的栅极与漏极相连;

MP2的栅极与MP3的栅极相连;

MP3的漏极以及MP2的漏极作为所述电流镜上电流相同的两端,分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连。

4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述使能信号为低电平,以使MN6处于关断状态。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,MN4工作于线性区。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,MN3工作于饱和区。

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