[发明专利]电子元件有效
申请号: | 201210122623.7 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103377749A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 冯辰;潜力;王昱权 | 申请(专利权)人: | 北京富纳特创新科技有限公司 |
主分类号: | H01B1/04 | 分类号: | H01B1/04;H01B5/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 | ||
1.一种电子元件,其包括:
一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇,该多个碳纳米管线间隔设置,该多个碳纳米管团簇通过该多个碳纳米管线隔开,且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇间隔设置,所述多个碳纳米管线沿一第一方向延伸设置形成多个第一导电通路,所述多个碳纳米管团簇沿一第二方向设置成形成多个第二导电通路,且该第二方向与所述第一方向交叉设置;
至少一第一电极及至少一第二电极,该至少一第一电极与该至少一第二电极相对且间隔设置,且通过所述多个第一导电通路或多个第二导电通路中的至少一个导电通路电连接。
2.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述碳纳米管膜中的多个碳纳米管线平行设置。
3.如权利要求2所述的电子元件,其特征在于,所述多个碳纳米管团簇在所述第二方向上成行排列,形成多个直线形第二导电通路。
4.如权利要求2所述的电子元件,其特征在于,所述多个碳纳米管团簇在所述第二方向上交错设置,形成多个曲线形第二导电通路。
5.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,每个碳纳米管线由多个碳纳米管构成,该多个碳纳米管沿同一方向延伸且通过范德华力首尾相连。
6.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,每个碳纳米管团簇包括多个碳纳米管,该多个碳纳米管的轴向平行于所述多个碳纳米管线的轴向。
7.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,每个碳纳米管团簇包括多个碳纳米管,该多个碳纳米管的轴向与所述多个碳纳米管线的轴向相交设置。
8.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,相邻的碳纳米管线之间的间距大于0.1毫米。
9.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,相邻的碳纳米管团簇之间的间距大于1毫米。
10.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管,该多个碳纳米管分别组成所述多个碳纳米管线及所述多个碳纳米管团簇,该多个碳纳米管线及该多个碳纳米管团簇分别间隔设置形成多个孔隙。
11.如权利要求10所述的电子元件,其特征在于,所述碳纳米管膜中的多个碳纳米管与所述多个孔隙的面积比大于0,且小于等于1 : 19。
12.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述至少一第一电极与所述至少一第二电极通过所述多个第一导电通路电连接。
13.如权利要求12所述的电子元件,其特征在于,所述至少一第一电极为多个第一电极,该多个第一电极在所述碳纳米管膜的一侧且间隔设置。
14.如权利要求13所述的电子元件,其特征在于,所述至少一第二电极为多个第二电极,该多个第二电极在所述碳纳米管膜的另一侧间隔设置,并与所述多个第一电极一一对应设置。
15.如权利要求12所述的电子元件,其特征在于,进一步包括至少一第三电极以及至少一第四电极,该至少一第三电极及该至少一个第四电极相对且间隔设置,并通过所述多个第二导电通路电连接。
16.如权利要求15所述的电子元件,其特征在于,所述至少一第三电极为多个第三电极,所述至少一第四电极为多个第四电极,该多个第三电极及该多个第四电极均与所述多个第二导电通路一一对应设置。
17.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述至少一第一电极与所述至少一第二电极通过所述多个第二导电通路电连接。
18.如权利要求17所述的电子元件,其特征在于,进一步包括至少一第三电极以及至少一第四电极,该至少一第三电极及该至少一个第四电极相对且间隔设置,并通过所述多个第二导电通路电连接。
19.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,进一步包括一基底,所述碳纳米管膜设置于该基底。
20.如权利要求18所述的电子元件,其特征在于,进一步包括一粘胶层,该粘胶层设置于所述碳纳米管膜与所述基底之间。
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