[发明专利]导电元件

说明书

技术领域

本发明涉及一导电元件，尤其涉及一种基于碳纳米管的导电元件。

背景技术

导电元件，尤其是透明导电元件，是各种电子设备，如触摸屏、液晶显示器、场发射显示装置等的重要元件。

现有技术中的导电元件包括一基底以及形成于该基底表面的透明金属氧化物膜，如氧化铟锡（ITO层）、氧化锌（ZnO）。然而，金属氧化物膜在不断弯折后，其弯折处的电阻有所增大，其作为导电层具有导电特性、机械和化学耐用性不够好的缺点。这些金属氧化物膜的制备方法主要包括蒸发法、溅射法等方法。蒸发法、溅射法属于玻璃深加工方法，设备复杂、成本较高、不适合大规模生产。而且，采用上述方法形成导电元件时，均需经过一个温度较高的退火工艺。退火工艺会对透明导电元件的基底造成损害，无法在熔点较低的基底上形成，限制了导电元件的应用。另外，现有的金属氧化物膜具有导电各向同性的特点，从而使得现有的导电元件趋向于导电各向同性。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种具有导电异向性的导电元件。

一种导电元件，其包括：一基底及一碳纳米管层，且该碳纳米管层设置于该基底的表面。其中，该碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线沿一第一方向延伸，并沿一第二方向间隔设置；该多个碳纳米管团簇与该多个碳纳米管线通过范德华力连接在一起，并在所述第二方向上通过该多个碳纳米管线隔开，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇在第一方向上间隔设置。

一种导电元件，其包括一基底及一碳纳米管层，该碳纳米管层设置于该基底的表面；该碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管组成多个碳纳米管线及多个碳纳米管团簇。该碳纳米管膜具有多个孔隙，该多个碳纳米管与所述多个孔隙的面积比大于0，且小于等于1 : 19。

与现有技术相比较，由本发明提供的导电元件中的碳纳米管层中的碳纳米管线沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置，所以该碳纳米管层在第一方向上具有导电性，该碳纳米管层中的碳纳米管团簇在第二方向上通过碳纳米管线隔开且在第一方向上间隔设置，所以该碳纳米管层在第二方向上也具有导电性，因此，该碳纳米管层为导电异向性膜，从而使得使用该碳纳米管层的导电元件也具有导电异向性。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的导电元件的俯视图。

图2为沿图1中的II-II线的剖视图。

图3为本发明第一实施例采用的碳纳米管层的光学显微镜照片。

图4为本发明第一实施例提供的碳纳米管层的结构示意图，且该碳纳米管层中的碳纳米管团簇交错排列。

图5为本发明第一实施例提供的导电元件的制备方法流程图。

图6为本发明第一实施例提供的导电元件的制备工艺流程图。

图7为图6中的初始碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图8为形成有一行通孔的初始碳纳米管膜的俯视图。

图9为形成有多行通孔的初始碳纳米管膜的俯视图。

图10为图6中的形成有通孔阵列的初始碳纳米管膜的部分光学显微镜照片。

图11为本发明实施例提供的导电元件的制备装置示意图。

图12为本发明第一实施例提供的导电元件与其他各种导电元件在不同波长下的透光度比较图。

图13为本发明第二实施例提供的导电元件的俯视图。

图14为沿图13中的XIV-XIV线的剖面图。

图15为本发明第二实施例采用的碳纳米管层的部分光学显微镜照片。

主要元件符号说明