[发明专利]增强型全局对准标记和光刻版图

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种增强型全局对准标记和光刻版图。

背景技术

随着集成电路制作工艺的不断进步，线宽的不断减小，半导体的布局也已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路。

在目前半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区(Die)和位于单元区之间的切割道(Scribe lane)，单元区用于后续形成半导体器件，切割道则是在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区(Die)分割时的切割线。

光刻是在半导体制作工艺中一个非常重要的步骤，光刻工艺是将掩模板上的图案复制到晶圆表面，其具体过程为：采用旋涂工艺在晶圆上形成光刻胶层；对该光刻胶层进行热处理后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着对曝光后的光刻胶层进行曝光后热处理，并通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图案。

在光刻的版图设计中通常将光刻对准标记(alignment mark)和套刻测量标记(overlay mark)等光刻工艺中所需要用到的光刻标记形成在切割道。

对于不同的曝光设备，其对准标记存在一定的差别，参考图1，图1为现有尼康(Nikon)曝光设备的增强型全局对准标记(Enhance Global Alignment mark，EGA mark)的布局结构示意图，包括：切割道20；位于切割道20内的增强型全局对准标记10，所述增强型全局对准标记10包括：在切割道20内横向平行排列的若干第一条形标记101，在切割道20内纵向平行排列的若干第二条形标记102，所述第二条形标记102对称的分布在第一条形标记101两侧，第二条形标记102的长度小于切割道20的宽度。

尼康(Nikon)曝光设备在进行对准时，曝光设备的对准单元对增强型全局对准标记10进行扫描，由感应元件生成信号，根据信号的峰宽、峰间距与光刻程序里面设定的标记的宽度、线间距进行对比从而对增强型全局对准标记10进行识别，判断增强型全局对准标记10的中心点所在位置，然后再结合光刻程序里面设定的标记中心点的坐标进行计算，得出这个晶圆的坐标系。

现有的切割道的宽度一般大于等于80微米，但是随着切割技术的不断发展，切割道的宽度不断变窄，比如：60微米、50微米，在切割道中形成的增强型全局对准标记的宽度和长度也要相应的减小，在光刻对准时，造成信号难以识别，影响对准的精度，导致套刻发生偏移。

更多关于光刻版图的介绍请参考公开号为CN 1690859A的中国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种增强型全局对准标记和光刻版图，提高了对准和套刻精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种增强型全局对准标记，包括：

沿第一方向等间距平行分布的若干第一条形标记，构成第一条形标记阵列；

沿第二方向等间距平行分布的若干第二条形标记，第一方向垂直于第二方向，第二条形标记对称的分布在第一条形标记阵列的两侧，第一条形标记在第一方向上分布区域的长度大于第二条形标记的长度。

可选的，所述相邻第一条形标记之间的间距等于相邻第二条形标记之间的间距。

可选的，所述相邻第一条形标记之间的间距为8～12微米。

可选的，所述相邻第二条形标记之间的间距为8～12微米。

可选的，所述第一条形标记的宽度等于第二条形标记的宽度。

可选的，所述第一条形标记的宽度大于等于0.5微米。

可选的，所述第二条形标记的宽度大于等于0.5微米。

可选的，所述第一条形标记的宽度与相邻第一条形标记之间的间距之比小于等于0.5。

可选的，所述第二条形标记的宽度与相邻第二条形标记之间的间距之比小于等于0.5。

可选的，所述第一条形标记总数量等于第二条形标记的总数量。

可选的，所述第一条形标记总数量和第二条形标记的总数量的总数量为偶数。

可选的，所述第一条形标记总数量大于等于8。

可选的，所述第二条形标记的总数量大于等于8。

可选的，所述第一条形标记的长度和第二条形标记的长度大于或等于曝光设备的最小识别长度。

可选的，所述第一条形标记的长度大于等于40微米。

可选的，所述第二条形标记的长度大于等于40微米。

本发明实施例还提供了一种光刻版图，包括：