[发明专利]外延结构体

权利要求书

1.一种外延结构体，其包括：

一基底，该基底具有一外延生长面；

一第一外延层，所述第一外延层设置于所述基底的外延生长面；

一第二外延层，所述第二外延层设置于所述第一外延层远离基底的表面；

其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一外延层与第二外延层之间。

2.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层仅包括石墨烯材料。

3.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为一单层石墨烯或多个石墨烯组成的连续的整体结构。

4.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1纳米~100微米。

5.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为一个碳原子厚度。

6.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为分散的石墨烯粉末。

7.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为由石墨烯粉末组成的整体结构。

8.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层具有多个空隙，所述第二外延层覆盖所述石墨烯层设置，并渗透石墨烯层的空隙与所述第一外延层的表面接触。

9.如权利要求8所述的外延结构体，其特征在于，所述空隙的尺寸为10纳米~120微米，所述石墨烯层的占空比为1:4~4:1。

10.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为一具有多个空隙的连续整体结构。

11.如权利要求10所述的外延结构体，其特征在于，所述多个空隙的形状为圆形、方形、三角形、菱形或矩形。

12.如权利要求11所述的外延结构体，其特征在于，所述图案化的石墨烯层为多个间隔设置的条形石墨烯，且相邻两个条形石墨烯之间形成空隙。

13.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述第二外延层在与所述第一外延层接触的表面形成多个孔洞，所述石墨烯层设置于该孔洞内。

14.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述第二外延层为一半导体外延层、金属外延层或合金外延层。

15.如权利要求11所述的外延结构体，其特征在于，所述第二外延层的材料为GaMnAs、GaAlAs、GaInAs、GaAs、SiGe、InP、Si、AlN、GaN、GaInN、AlInN、GaAlN或AlGaInN。

16.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，进一步包括一石墨烯层夹持于基底与第一外延层之间。

17.一种外延结构体，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一第一外延层、一第二外延层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一图案化的单层石墨烯薄膜设置于所述第一外延层与第二外延层之间，所述图案化的单层石墨烯薄膜具有多个空隙，所述第二外延层渗透石墨烯层的多个空隙与所述第一外延层的表面接触。