[发明专利]外延结构

权利要求书

1.一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述外延层与基底之间。

2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层仅包括石墨烯材料。

3.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层为一由石墨烯粉末或石墨烯薄膜构成的连续的整体结构。

4.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1纳米~100微米。

5.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层为一个碳原子厚度。

6.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层为分散的石墨烯粉末。

7.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层具有多个开口，所述外延层覆盖所述石墨烯层设置并渗透石墨烯层的开口与所述基底的外延生长面接触。

8.如权利要求7所述的外延结构，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米~120微米，所述石墨烯层的占空比为1:4~4:1。

9.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延层在与所述基底接触的表面形成多个孔洞，所述石墨烯层设置于该孔洞内。

10.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延层为一半导体外延层、金属外延层或合金外延层。

11.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述基底为一单晶结构体，且所述基底的材料为GaAs、GaN、Si、SOI、AlN、SiC、MgO、ZnO、LiGaO₂、LiAlO₂或Al₂O₃。

12.一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一图案化的石墨烯层设置于所述外延层与基底之间，且该图案化的石墨烯层具有多个开口，使外延层渗透石墨烯层的多个开口与所述基底的外延生长面接触，所述开口的尺寸为10纳米~120微米，所述图案化的石墨烯层的占空比为1:4~4:1。

13.如权利要求12所述的外延结构，其特征在于，所述图案化的石墨烯层为一具有多个开口的连续整体结构。

14.如权利要求13所述的外延结构，其特征在于，所述多个开口的形状为圆形、方形、三角形、菱形或矩形。

15.如权利要求12所述的外延结构，其特征在于，所述图案化的石墨烯层为多个间隔设置的图形，且相邻两个图形之间形成多个开口。

16.如权利要求15所述的外延结构，其特征在于，所述图案化的石墨烯层为多个间隔设置的条形石墨烯。

17.一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一图案化的单层石墨烯设置于所述外延层与基底之间，且该图案化的单层石墨烯具有多个开口，使外延层渗透石墨烯层的多个开口与所述基底的外延生长面接触。