[发明专利]具有微构造的外延结构体有效
| 申请号： | 201210122533.8 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103378236B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 构造 外延 结构 | ||
1.一种具有微构造的外延结构体，其特征在于，其包括一外延层及一石墨烯层，所述外延层一表面具有多个凹槽及多个凸起以形成一图案化表面，所述石墨烯层为具有多个开口，所述石墨烯层设置于该外延层的图案化的表面，并嵌入该外延层的多个凹槽中，所述外延层的多个凸起由所述石墨烯层的多个开口露出。
2.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层由石墨烯材料构成。
3.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层由分散的石墨烯粉末或至少一石墨烯薄膜构成。
4.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1纳米~100微米。
5.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为一个碳原子厚度。
6.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米~120微米。
7.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述外延层为一半导体外延层、金属外延层或合金外延层。
8.如权利要求1所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述基底为一单晶结构体，且所述基底的材料为GaAs、GaN、Si、SOI、AlN、SiC、MgO、ZnO、LiGaO2、LiAlO2或Al2O3。
9.一种具有微构造的外延结构体，其特征在于，其包括层叠设置的一外延层及一具有多个开口的图案化的单层石墨烯薄膜，外延层的部分渗透所述石墨烯层的多个开口露出，所述开口的尺寸为10纳米~120微米，所述图案化的单层石墨烯薄膜的占空比为1:4~4:1。
10.如权利要求9所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述多个开口的形状为圆形、方形、三角形、菱形或矩形。
11.如权利要求9所述的具有微构造的外延结构体，其特征在于，所述图案化的单层石墨烯薄膜为多个间隔设置的图案，且相邻两个图案之间形成所述多个开口。
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