[发明专利]光电材料制备有效
| 申请号： | 201210122127.1 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103374116B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈永胜;周娇艳;万相见;李智;贺光瑞;左易 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C07D495/04;C07F7/10;C07F7/08;C07D333/08;C07D333/22;C07D333/28;C07F7/22;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人： | 王达佐,阴亮 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 材料 制备 | ||
【权利要求书】：
1.通式(1)至通式(3)化合物：
通式(1)
通式(2)
通式(3)
其中，
X选自O、S或Se，
n和m独立地为1至50的整数，
R1至R4分别独立地选自H、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30烷氧基或其卤素取代的衍生物，其中R1和R2可以相同也可以不同，
A1至A4分别独立地为H、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30烷氧基或其卤素取代的衍生物，或有机共轭单元，以及
D1和D2分别独立地为桥连的有机共轭单元。
2.如权利要求1所述的化合物，其中A1至A4分别独立地为H、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30烷氧基或其卤素取代物，或者分别独立地选自基团1至33中的任何一种：
其中，R5和R6分别独立地选自H、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30烷氧基、或其卤素取代的衍生物，并且R5和R6可以相同也可以不同，以及X-为能够使A1至A4形成中性基团的阴离子。
3.如权利要求1或2所述的化合物，其中D1和D2分别独立地选自基团34至基团60：
其中R7和R8分别独立地选自C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30烷氧基或其卤素取代的衍生物，并且R7和R8可以相同也可以不同。
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