[发明专利]一种硅锗源/漏结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210121013.5 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377897A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅锗源 结构 形成 方法 | ||
1.一种硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
在所述衬底中刻蚀形成位于栅极结构两侧的凹陷，
在所述凹陷内形成源/漏区，包括：
在所述凹陷内形成种子层；
在所述种子层上形成体层；
在所述体层上形成第一过渡层，所述第一过渡层生长过程中所使用的温度为线性变化；
在所述第一过渡层上形成第二过渡层，所述第二过渡层中锗的含量线性降低；
在所述第二过渡层上形成上覆层。
2.如权利要求1所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述第一过渡层生长所使用的温度开始时为体层温度。
3.如权利要求1所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述第一过渡层生长所使用的温度结束时为形成上覆层时所需温度。
4.如权利要求1所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述第二过渡层中锗的含量为从30％～40％降低至0。
5.如权利要求1所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述种子层为硅锗层，所述体层为硅锗层或硅锗硼层，所述上覆层为硅层。
6.如权利要求1所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述第一过渡层和第二过渡层经化学气相沉积工艺形成。
7.如权利要求6所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的反应气体包括硅烷，锗烷，氯化氢，乙硼烷和氢气。
8.如权利要求7所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷，锗烷，氯化氢和乙硼烷流量皆为1sccm～1000sccm。
9.如权利要求7所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述氢气流量为0.1slm～50slm。
10.如权利要求6所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的温度为500℃～800℃。
11.如权利要求6所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的压强为1torr～100torr。
12.一种硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
在所述衬底中刻蚀形成位于栅极结构两侧的凹陷，
在所述凹陷内形成源/漏区，包括：
在所述凹陷内形成种子层；
在所述种子层上形成体层；
在所述体层上形成过渡层，所述过渡层生长过程中所使用的温度为线性变换，所述过渡层中锗的含量线性降低；
在所述过渡层上形成上覆层。
13.如权利要求12所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层生长所使用的温度开始时为体层温度。
14.如权利要求12所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层生长所使用的温度结束时为形成上覆层时所需温度。
15.如权利要求12所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层中锗的含量为从30％～40％降低至0。
16.如权利要求12所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述种子层为硅锗层，所述体层为硅锗层或硅锗硼层，所述上覆层为硅层。
17.如权利要求12所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层经化学气相沉积工艺形成。
18.如权利要求17所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的反应气体包括硅烷，锗烷，氯化氢，乙硼烷和氢气。
19.如权利要求18所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷，锗烷，氯化氢和乙硼烷流量皆为1sccm～1000sccm。
20.如权利要求18所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述氢气流量为0.1slm～50slm。
21.如权利要求17所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的温度为500℃～800℃。
22.如权利要求17所述的硅锗源/漏结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的压强为1torr～100torr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
