[发明专利]电感耦合等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201210119474.9 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN102751157A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 佐佐木和男;东条利洋 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王轶;尹文会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电感 耦合 等离子体 处理 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及对制造液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)用的玻璃基板等基板实施等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。

背景技术

在液晶显示装置(LCD)等的制造工序中,为了对玻璃基板实施规定的处理,而使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这样的等离子体处理装置,以往虽大多使用电容耦合等离子体处理装置,但在近一段时间,具有能够获取高密度的等离子体这样大的优点的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置引起人们的关注。

电感耦合等离子体处理装置是通过在收容被处理基板的处理室的电介质窗的外侧配置高频天线,向处理室内供给处理气体、并且向该高频天线供给高频电力,以在处理室内产生电感耦合等离子体,并利用该电感耦合等离子体对被处理基板实施规定的等离子体处理的装置。作为电感耦合等离子体处理装置的高频天线,大多使用呈平面状的规定图案的平面天线。作为公知例,存在专利文献1。

近一段时间,被处理基板的尺寸趋向大型化。例如,若以LCD用的矩形状玻璃基板为例,短边×长边的长度从约1500mm×约1800mm的尺寸向约2200mm×约2400mm的尺寸、甚至向约2800mm×约3000mm的尺寸发展的大型化显著。

电感耦合等离子体处理装置使电介质窗介于高频天线与处理室内的等离子体生成区域之间。如果被处理基板大型化,则电介质窗也随之大型化。电介质窗如专利文献1中所记载的那样,一般使用石英玻璃、或者陶瓷。

但是,石英玻璃、陶瓷质脆,不适合大型化。因此,例如,如专利文献2所记载的那样,通过分割石英玻璃来应对电介质窗的大型化。

然而,被处理基板的大型化格外显著。因此,专利文献2所记载的分割电介质窗的方法,应对大型化也变得困难。

因此,通过将电介质窗替换为金属窗来增大强度,以应对被处理基板的大型化的技术被记载在专利文献3中。

专利文献1:日本专利第3077009号公报

专利文献2:日本专利第3609985号公报

专利文献3:日本特开2011-29584号公报

在专利文献3中,能够应对被处理基板的大型化。但是,由于金属窗中的等离子体产生的机理与电介质窗的情况不同,所以关于金属窗的大型化另存在其它的问题,例如,存在如下情况、即:环金属窗的涡流朝与电流的流动的方向垂直的方向扩散(以下,仅称“涡流的扩散”。),处理室内的等离子体分布的控制性变得困难。

发明内容

本发明是鉴于上述的情况而提出的,提供了一种电感耦合等离子体处理装置,该电感耦合等离子体处理装置能够对应被处理基板的大型化,并且能够使得处理室内的等离子体分布的控制性良好。

为了解决上述课题,本发明的第一方式的电感耦合等离子体处理装置在处理室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体,来对基板进行等离子体处理,该电感耦合等离子体处理装置具备:用于在上述等离子体生成区域产生上述电感耦合等离子体的高频天线;以及配置于上述等离子体生成区域与上述高频天线之间的金属窗,上述金属窗被进行第一分割以及第二分割,所谓所述第一分割,将上述金属窗沿该金属窗的周向相互电绝缘地分割为两个以上,所谓所述第二分割,将被进行了上述被第一分割后的金属窗沿与上述周向交叉的方向相互电绝缘地分割。

另外,本发明的第二方式的电感耦合等离子体处理装置在处理室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体,来对基板进行等离子体处理,电感耦合等离子体处理装置具有:用于在上述等离子体生成区域产生上述电感耦合等离子体的高频天线;以及其配置于上述等离子体生成区域与上述高频天线之间的金属窗,上述金属窗沿与该金属窗的周向交叉的方向被分割、并且沿着与上述周向交叉的方向被分割后的金属窗被进行第一划分,所谓所述第一划分,利用设置于该金属窗的狭缝,将沿着与上述周向交叉的方向被分割后的金属窗沿上述周向划分为两个以上的区域。

根据本发明,能够提供一种电感耦合等离子体处理装置,该电感耦合等离子体处理装置能够对应被处理基板的大型化,并且能够使得处理室内的等离子体分布的控制性良好。

附图标记的说明如下:

1:主体容器,3:金属窗,4:天线室,5:处理室,6:支承棚,7:支承梁,11:高频天线,16:载置台,28:绝缘体。

附图说明

图1是概略性地示出本发明的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的剖视图。

图2是用于说明等离子体生成原理的示意图。

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