[发明专利]荧光传感器无效

专利信息
申请号: 201210119075.2 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN102928419A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 前江田和也;松本淳 申请(专利权)人: 奥林巴斯株式会社;泰尔茂株式会社
主分类号: G01N21/77 分类号: G01N21/77
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 传感器
【权利要求书】:

1.一种荧光传感器,其特征在于,具备:

主基板,形成有将荧光转换为电信号的光电转换元件;

发光元件基板,在第一主面上形成有产生激励光的发光元件;

光量均匀化部,对从所述发光元件基板的第二主面放射的所述激励光的光量分布进行均匀化;以及

指示剂,接受由所述光量均匀化部均匀化后的所述激励光,并产生与分析物量相应的光量的所述荧光。

2.如权利要求1所述的荧光传感器,其中,

在所述主基板上具有凹部,该凹部具有与主面平行的底面,所述光电转换元件形成在所述凹部的内壁上,所述发光元件基板和所述指示剂被配设在所述凹部的内部。

3.如权利要求1所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是对所述光量分布进行平均化的激励光扩散部。

4.如权利要求3所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部具有衍射功能、散射功能、折射功能或者反射功能。

5.如权利要求4所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的反射膜。

6.如权利要求5所述的荧光传感器,其中,

所述反射膜是反射所述激励光并透射所述荧光的多层膜。

7.如权利要求1所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是对激励光的光量大的区域的光量进行衰减的激励光衰减部。

8.如权利要求7所述的荧光传感器,其中,

所述激励光衰减部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的、具有吸收所述激励光的功能的遮光膜。

9.如权利要求2所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是对所述光量分布进行平均化的激励光扩散部。

10.如权利要求9所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部具有衍射功能、散射功能、折射功能或者反射功能。

11.如权利要求10所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的反射膜。

12.如权利要求11所述的荧光传感器,其中,

所述反射膜是反射所述激励光并透射所述荧光的多层膜。

13.如权利要求2所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是对激励光的光量大的区域的光量进行衰减的激励光衰减部。

14.如权利要求13所述的荧光传感器,其中,

所述激励光衰减部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的、具有吸收所述激励光的功能的遮光膜。

15.如权利要求1所述的荧光传感器,其中,

所述主基板具有贯穿孔,所述光电转换元件形成于所述贯穿孔的内壁,所述指示剂被配设在所述贯穿孔的内部。

16.如权利要求15所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是对所述光量分布进行平均化的激励光扩散部。

17.如权利要求16所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部具有衍射功能、散射功能、折射功能或者反射功能。

18.如权利要求17所述的荧光传感器,其中,

所述激励光扩散部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的反射膜。

19.如权利要求18所述的荧光传感器,其中,

所述反射膜是反射所述激励光并透射所述荧光的多层膜。

20.如权利要求15所述的荧光传感器,其中,

所述光量均匀化部是遮光膜,该遮光膜对激励光的光量大的区域的光量进行衰减,在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成,并具有吸收所述激励光的功能。

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