[发明专利]一种掩模图形修正方法

权利要求书

1.一种掩模图形修正方法，其特征在于，包括以下步骤：

将期望得到的曝光图形定义为初始掩模图形M（）,定义标准单元图形T（                                                ），将所述初始掩模图形转换为以所述标准单元图形表达的掩模图形信息,其中为二维坐标系中的坐标；

标定所述标准单元图形通过光学成像系统的成像效果，建立光强映射表；

根据所述掩模图形信息和所述光强映射表，计算获得成像方光强考察点的实际光强；

根据所述实际光强与所述期望得到的曝光图形的期望光强的差值，计算获得掩模图形修正量，用于修正初始掩模图形。

2.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，在二维坐标系中，所述标准单元图形定义为透光区域数值为1，不透光区域数值为0，边界位置数值为0.5，其数学模型为。

3.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，将所述初始掩模图形转换为以所述标准单元图形表达的掩模图形信息，具体为对所述初始掩模图形的边缘进行分割，将所述初始掩模图形拆分成所述标准单元图形。

4.根据权利要求3所述的修正方法，其特征在于，对所述初始掩模图形的边缘进行分割，具体为依次对初始掩模图形的各个顶点，按照加减交替的方式叠加所述标准单元图形。

5.根据权利要求4所述的修正方法，其特征在于，所述初始掩模图形为，i为所述初始掩模图形顶点的编号，x_i、y_i为所述顶点的坐标。

6.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，标定所述标准单元图形通过光学成像系统的成像效果，建立光强映射表具体包括：

根据所述标准单元图形制作标定掩模；

对所述标定掩模用不同的曝光剂量进行曝光，形成曝光图像；

测量像方曝光图形的边界位置，拟合形成高强等高线图；

利用插值方法得到所述光强映射表。

7.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，所述初始掩模图形为多边形。

8.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，还包括将所述掩模图形修正量多次迭代后，直至所述实际光强与所述期望光强的差值小于光强阈值，将此时的掩模图形修正量用于修正初始掩模图形，获得修正掩模图形。

9.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，光学成像过程表达为所述初始掩模图形与所述光学成像系统点扩展函数的卷积：

。

10.根据权利要求9所述的修正方法，其特征在于，所述光强映射表为所述标准单元图形与所述点扩展函数的卷积。