[发明专利]具有密封结构的传感器器件有效
申请号: | 201210118992.9 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN102749159B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 史蒂芬·R·胡珀;德怀特·L·丹尼尔斯;詹姆斯·D·麦克唐纳;威廉·G·麦克唐纳;春林·C·夏 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李宝泉;周亚荣 |
地址: | 美国,*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 密封 结构 传感器 器件 | ||
1.一种传感器器件,包括:
传感器结构,所述传感器结构包括具有在其上形成的感测布置的第一部分;
第二结构;以及
密封结构,所述密封结构被插入在所述传感器结构和所述第二结构之间,所述密封结构包围所述传感器结构的所述第一部分以建立在所述第一部分的第一侧上的固定基准压力,其中所述第一部分的第二侧暴露于环境压力。
2.根据权利要求1所述的传感器器件,其中,所述密封结构包括金属材料,所述金属材料被键合到所述传感器结构和所述第二结构,以在所述传感器结构和所述第二结构之间提供气密密封。
3.根据权利要求2所述的传感器器件,所述第二结构具有平坦表面,其中所述金属材料被键合到所述平坦表面。
4.根据权利要求1所述的传感器器件,其中,所述密封结构限定所述第一部分的所述第一侧上的真空腔室。
5.根据权利要求1所述的传感器器件,其中,所述固定基准压力是在真空下。
6.根据权利要求1所述的传感器器件,进一步包括:导电互连,所述导电互连被布置在所述传感器结构和所述第二结构之间,其中所述密封结构和所述导电互连每一个包括键合到所述传感器结构和所述第二结构的金属材料。
7.根据权利要求6所述的传感器器件,其中,所述导电互连被电连接到所述感测布置。
8.根据权利要求1所述的传感器器件,进一步包括:控制电路,所述控制电路用于基于来自所述感测布置的电信号来确定指示所述环境压力的压力度量,其中所述第二结构包括具有在其上形成的所述控制电路的集成电路管芯。
9.根据权利要求8所述的传感器器件,进一步包括:导电互连,所述导电互连被布置在所述传感器结构和所述集成电路管芯之间,以在所述控制电路和所述感测布置之间提供电连接。
10.根据权利要求1所述的传感器器件,其中,所述第一部分响应于在所述环境压力和所述固定基准压力之间的差异而偏离。
11.根据权利要求1所述的传感器器件,其中:
所述传感器结构包括集成电路管芯;
所述第一部分包括所述集成电路管芯的隔膜区域;
所述感测布置被形成在所述隔膜区域的所述第一侧上;并且
所述密封结构限定所述第一部分的第一侧上的真空腔室。
12.一种压力传感器器件,包括:
压力传感器结构,所述压力传感器结构包括具有在所述压力传感器结构的第一侧上形成的感测布置的隔膜区域;
金属材料,所述金属材料环绕所述隔膜区域,所述金属材料被键合到所述压力传感器结构的所述第一侧;以及
基板,所述基板具有平坦表面,其中,所述金属材料被键合到所述基板的所述平坦表面,以建立具有固定基准压力的腔室。
13.根据权利要求12所述的压力传感器器件,其中:
所述腔室被布置在所述隔膜区域的所述第一侧上;并且
所述隔膜区域的第二侧暴露于环境压力。
14.根据权利要求13所述的压力传感器器件,其中,所述基板包括具有在其上形成的专用集成电路的半导体基板,所述专用集成电路被耦合到所述感测布置,以基于来自所述感测布置的电信号来确定指示所述环境压力的压力度量。
15.根据权利要求14所述的压力传感器器件,其中:
所述感测布置包括多个压阻元件,所述多个压阻元件形成在所述隔膜区域上,所述隔膜区域的偏离影响所述压阻元件的电阻;并且
所述多个压阻元件的电阻影响所述电信号。
16.根据权利要求13所述的压力传感器器件,进一步包括:保护材料,所述保护材料形成在所述隔膜区域的第二侧上。
17.根据权利要求12所述的压力传感器器件,进一步包括:模制化合物,所述模制化合物被布置在所述压力传感器结构和所述基板之间,所述模制化合物包围所述金属材料。
18.根据权利要求12所述的压力传感器器件,其中,所述固定基准压力是在真空下。
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