[发明专利]印刷电路板中异型元件和高密度封装元器件的配准方法

权利要求书

1.印刷电路板中异型元件和高密度封装元器件的配准方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1粗略定位：输入待配准图像I(x，y)，利用SIFT配准方法计算I(x，y)与模板图像f(x，y)之间粗略变换关系(m，n，β)，其中m、n分别是x、y方向的平移参数，β是旋转角度；

S2精细定位：

S2.1按粗略变换关系(m，n，β)对I(x，y)进行逆变换，得到逆变换图像g(x，y)，g(x，y)与f(x，y)的变换关系为(a，b，θ)，即

g(x，y)＝f(xcosθ-ysinθ+a，xsinθ-ycosθ+b)(1)

其中a、b分别是x、y方向的平移参数，θ是旋转角度；

S2.2对式(1)，先将sinθ、cosθ进行二阶泰勒展开，再将f(x，y)进行二阶泰勒展开，得到

g(x,y)≈f(x,y)+(a-yθ-xθ22)∂f∂x+(b+xθ+yθ22)∂f∂y---(2)]]>

S2.3得到f(x，y)与g(x，y)的能量方程如下：

E(a,b,θ)=Σ[f(x,y)+(a-yθ-xθ22)∂f∂x+(b+xθ+yθ22)∂f∂y-g(x,y)]2---(3)]]>

S2.4对式(3)的a、b、θ各自求偏导数，并令其为零，得

(Σ(∂f∂x)2)a+(Σ∂f∂x∂f∂y)b+(ΣR∂f∂x)θ=Σ∂f∂x(f-g)---(4)]]>

(Σ∂f∂x∂f∂y)a+(Σ(∂f∂x)2)b+(ΣR∂f∂y)θ=Σ∂f∂y(f-g)---(5)]]>

(ΣR∂f∂x)a+(ΣR∂f∂y)b+(ΣR2)θ=ΣR(f-g)---(6)]]>

其中，R=(x∂f∂y-y∂f∂x);]]>

S2.5根据式(4)～(6)求得(a，b，θ)，令m′＝m+a，n′＝n+b，β′＝β+θ；将变换公式(m′，n′，β′)代入式(3)，计算在变换关系(m′，n′，β′)下的能量E；

S2.6判断E是否低于设定值，若否，进行步骤S2.4～S2.6；若是，则结束迭代过程，将m′作为最终的x方向的平移参数、n′作为最终的y方向的平移参数，β′作为最终的旋转角度。