[发明专利]一种带缓冲层结构晶闸管在审
| 申请号： | 201210117710.3 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378143A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张桥;颜家圣;刘小俐;杨宁 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/08 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 结构 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带缓冲层结构晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，四层为P1阳极区（1）、N1长基区（2）、阴极端P2区（3）和N2阴极区（4），三个端子分别为阳极（7）、阴极（6）和门极（5），其特征是：在所述的半导体芯片P1阳极区（1）和N1长基区（2）之间加入一个缓冲层N0区（8）；该缓冲层N0区（8）的表面浓度比N1长基区（2）高，又比P1阳极区（1`）表面浓度低。
2.根据权利要求1所述的一种带缓冲层结构晶闸管，其特征在于：所述的缓冲层N0区的表面浓度比N1长基区高20~200倍，又比P1阳极区表面浓度低50~500倍。
3.根据权利要求1或2所述的一种带缓冲层结构晶闸管，其特征在于：所述的P1阳极区的结深是15~50μm；阴极端P2区的结深是40~130μm；N1长基区的厚度是100~500μm；缓冲层N0区的厚度是10~60μm。
4.根据权利要求1或2所述的一种带缓冲层结构晶闸管，其特征在于：所述的缓冲层N0区是通过杂质扩散形成的。
5.根据权利要求1或2所述的一种带缓冲层结构晶闸管，其特征在于：所述的缓冲层N0区是通过外延形成的。
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