[发明专利]深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)，其中，所述形成的掺杂扩散区(010)在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；

在形成所述掺杂扩散区(010)之后，依次形成基极层(024)、发射极层(025)、栅区(026)、绝缘层(027)、重掺杂区(019)和集电极层(022)，得到绝缘栅双极型晶体管。

2.根据权利要求1所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)的步骤中，采用退火扩散的方式形成所述掺杂扩散区(010)。

3.根据权利要求2所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)的步骤中，包含以下子步骤：

对所述基底(001)上进行离子注入，形成注入层(007)；

退火扩散，形成第一扩散层(008)；

沉积扩散源(009)；

第二次退火扩散，形成所述掺杂扩散区(010)和第二扩散层(011)；

去除第二扩散层(011)，得到所述掺杂扩散区(010)。

4.根据权利要求2所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)的步骤中，包含以下子步骤：

对所述基底(001)上进行离子注入，形成注入层(007)；

退火扩散，形成第一扩散层(008)；

通过向扩散炉管通反应气体，形成所述掺杂扩散区(010)和第二扩散层(011)；

去除第二扩散层(011)，得到所述掺杂扩散区(010)。

5.根据权利要求1所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)的步骤之前，还包含以下步骤：

制备基底(001)；

在所述基底(001)上形成沟槽(004)，其中，该沟槽(004)具有圆滑的深槽底，并且该沟槽的上边沿(005)具有圆滑表面。

6.根据权利要求5所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，在所述基底(001)上形成沟槽(004)的步骤中，包含以下子步骤：

在所述基底(001)上形成隔离层(002)，并对隔离层进行图形化；

对所述基底(001)上未被所述隔离层(002)掩盖的区域进行氧化，形成氧化区域(003)，该氧化区域(003)的下方具有半椭圆形的截面形状，并且在与基底和隔离层(002)的交接处具有圆滑表面；

刻蚀去除所述氧化区域(003)，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽(004)；

去除所述隔离层(002)。

7.根据权利要求6所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述隔离层(002)包含第一隔离层(002A)和第二隔离层(002B)；其中，在对隔离层进行图形化时，所述第二隔离层(002B)为具有圆滑角的多边形或者圆形。

8.根据权利要求7所述的深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，在去除所述隔离层(002)步骤中，还包含以下子步骤：

去除所述第二隔离层(002B)，保留所述第一隔离层(002A)。