[发明专利]半导体光源模块、其制造方法及其基板结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体模块、其制造方法及其基板结构，且特别是有关于一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，各种半导体光源不断推陈出新。举例来说，发光二极管通过电子与空穴在其内结合而产生电致发光效应。发光二极管的光线的波长与其所采用的半导体材料种类与掺杂物有关。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损、开关速度高、高可靠性等优点，使得发光二极管已经广泛应用于各式电子产品。

发光二极管采用半导体设备来制作成一颗颗的晶粒。在某些设计中，为了增加发光二极管的稳定性，也会通过半导体设备来一并制作一些被动元件，使发光二极管与被动元件作结合，提升发光二极管的稳定性。

发明内容

本发明一实施例提供一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构，其利用贯穿开口的设计，使得齐纳二极管(zener diode)等被动元件可以内埋于基板结构之内，而不增加基板结构的厚度。此外，在制造过程中，可以直接采用封装设备即可完成内埋齐纳二极管的步骤，而不需要昂贵的半导体设备，大幅降低制造成本

根据本发明的一实施例，提出一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板结构及一发光二极管。基板结构包括一基材、一齐纳二极管及一填充材料。基材具有一贯穿开口。齐纳二极管(zener diode)设置于贯穿开口内。填充材料填充于贯穿开口。发光二极管(light emitting diode，LED)设置于基板结构上，并电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖贯穿开口。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体光源模块的制造方法。半导体光源模块的制造方法包括以下步骤。提供一基材，基材具有一贯穿开口。将基材设置于一承载板上。将一齐纳二极管(zener diode)设置于承载板上，使得齐纳二极管位于基材的贯穿开口内。将一填充材料填充于贯穿开口后，移除承载板。形成一导线于基材及齐纳二极管上，而形成一基板结构。接着，将一发光二极管设置于基板结构上，使得发光二极管经由该导线电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖贯穿开口。

根据本发明的另一实施例，提出一种基板结构。基板结构包括一基材、一齐纳二极管(zener diode)及一填充材料。基材具有一贯穿开口。齐纳二极管设置于贯穿开口内。填充材料填充于贯穿开口。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据本发明一实施例的半导体光源模块的剖面示意图。

图2～7绘示图1半导体光源模块的制造方法的剖面示意图。

图8绘示另一半导体光源模块的剖面示意图。

主要元件符号说明：

100、200：半导体光源模块

110：基板结构

111：基材

111a：第一表面

111b：第二表面

111c：贯穿开口

111d、111e：贯穿孔

113：氧化硅层

112、212：齐纳二极管

112a、212a：第三表面

112b：第四表面

114、214：第一填充材料

117：第一导线

118、218：第二导线

130：发光二极管

150：第二填充材料

160：透明封胶

W1、W2、W3：宽度

具体实施方式

以下提出实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。此外，实施例中的图式省略部份元件，以清楚显示本发明的技术特点。

请参照图1，其绘示根据本发明一实施例的半导体光源模块100的剖面示意图。半导体光源模块100主要包括一基板结构110、一发光二极管(light emitting diode，LED)130及一透明封胶160。透明封胶160覆盖发光二极管130。发光二极管130设置于基板结构110上。发光二极管130用以发出光线，其材质例如是铝砷化镓(AlGaAs)、铝磷化镓(AlGaP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、铟氮化镓(InGaN)或铝氮化镓(AlGaN)。