[发明专利]反应气体溅镀装置

权利要求书

1.一种反应气体溅镀装置，其包含有：

一反应溅镀腔体；

多个阴极氧化板，其设于该反应溅镀腔体的内壁处；

至少一磁控阴极溅镀装置，其设于该反应溅镀腔体中；以及

至少一阳极气体离子源，其设于该反应溅镀腔体内壁；以及

一鼓轮体，其以可转动设于该反应溅镀腔体中；以及

一辅助阳极气体离子源，其设于该鼓轮体，并与该鼓轮体连动。

2.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源面对该反应溅镀腔体的内壁。

3.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，进一步具有多个遮片，其设于该反应溅镀腔体中，并且相邻于该阴极氧化板，并且该磁控阴极溅镀装置位于两个遮片之间，其中该遮片能够变更为一阴极氧化板。

4.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，进一步具有多个绝缘支撑体，该绝缘支撑体设于该阴极氧化板与该反应溅镀腔体的内壁之间，以及该遮片与该反应溅镀腔体的内壁之间。

5.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该磁控阴极溅镀装置进一步设有一靶材。

6.如权利要求5所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该靶材为镁板。

7.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该阴极氧化板彼此呈堆栈且未接触或相互贴近且未接触。

8.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源的两端分别朝向该鼓轮体的顶端与底端方向延伸。

9.如权利要求1所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源的气体为氧。

10.一种反应气体溅镀装置，其包含有：

一反应溅镀腔体；

多个阴极氧化板，其设于该反应溅镀腔体的内壁处；

至少一磁控阴极溅镀装置，其设于该反应溅镀腔体中；以及

至少一阳极气体离子源，其设于该反应溅镀腔体内壁；以及

一鼓轮体，其以可转动设于该反应溅镀腔体中；以及

一辅助阳极气体离子源，其可转动地设于该鼓轮体与该反应溅镀腔体的内壁之间。

11.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源分别面对该反应溅镀腔体的内壁与该鼓轮体的侧壁。

12.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，进一步具有多个遮片，其设于该反应溅镀腔体中，并且相邻于该阴极氧化板，并且该磁控阴极溅镀装置位于两个遮片之间，其中该遮片能够变更为一阴极氧化板。

13.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，进一步具有多个绝缘支撑体，该绝缘支撑体设于该阴极氧化板与该反应溅镀腔体的内壁之间，以及该遮片与该反应溅镀腔体的内壁之间。

14.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该磁控阴极溅镀装置进一步设有一靶材。

15.如权利要求14所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该靶材为镁板。

16.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该阴极氧化板彼此呈堆栈且未接触或相互贴近且未接触。

17.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源的两端分别朝向该鼓轮体的顶端与底端方向延伸。

18.如权利要求10所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源与该阳极气体离子源的气体为氧。

19.一种反应气体溅镀装置，其包含有：

一反应溅镀腔体，其内壁为一阴极氧化壁；

至少一磁控阴极溅镀装置，其设于该反应溅镀腔体中；以及

至少一阳极气体离子源，其设于该反应溅镀腔体内壁；以及

一鼓轮体，其以可转动设于该反应溅镀腔体中；以及

一辅助阳极气体离子源，其设于该鼓轮体，并且该辅助阳极气体离子源与该鼓轮体连动。

20.如权利要求19所述的反应气体溅镀装置，其特征在于，该辅助阳极气体离子源面对该阴极氧化壁。