[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2011年6月21日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0060230号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

根据本发明的实施例的多个方面涉及一种有机发光显示装置。

背景技术

有机发光显示装置(OLED)已经应用在诸如数字相机、摄像机、便携式摄像机、个人数字助理(PDA)、智能电话、超薄电视、超纤薄膝上型电脑、平板电脑和柔性显示装置的电子/电气产品中。

当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在有机发射层中复合时，有机发光显示装置显示彩色图像。有机发光显示装置具有包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机发射层的堆叠结构。

然而，利用这种结构难以实现高发光效率，因而，可选地在有机发射层与每个电极之间设置包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的其他中间层。

这里，根据驱动方法，可以将有机发光显示装置分为无源矩阵(PM)OLED和有源矩阵(AM)OLED。AM OLED包括用作开关的薄膜晶体管(TFT)。期望的是，提高可靠性并降低多晶硅TFT在断开状态下的漏电性能。

为了提高可靠性并降低TFT的漏电性能，已经使用了轻掺杂漏极(LDD)结构。

在具有LDD结构的TFT中，形成栅电极，然后掺杂用于形成LDD结构的低剂量杂质。然后，为了形成TFT的源区和漏区，通过光刻工艺进一步掺杂高剂量杂质。

然而，具有LDD结构的TFT具有减小的驱动电流，并使用更多的掩模来制成。因此，降低了良品率，并提高了制造成本。

发明内容

根据本发明的实施例的多个方面提出一种通过在TFT中选择性地形成栅极叠置的轻掺杂漏极(GOLDD)结构而具有降低的驱动电流和优异的漏电性能的有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。

根据本发明的实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基底上形成半导体有源层；在所述基底和所述半导体有源层上形成栅极绝缘层；形成包括位于所述栅极绝缘层上的下栅电极和位于所述下栅电极上的上栅电极的栅电极；使用所述栅电极作为掩模在所述半导体有源层处形成源区和漏区；在所述基底上形成层间绝缘层，并蚀刻所述层间绝缘层，以产生暴露所述源区的部分和所述漏区的部分的接触孔；在所述基底上形成源/漏电极原料，并蚀刻所述源/漏电极原料，以形成源电极和漏电极；在所述半导体有源层处通过注入杂质离子形成具有轻掺杂漏极(LDD)区的栅极叠置的轻掺杂漏极(GOLDD)结构；在所述基底上沉积保护层；以及在所述基底上形成显示器件。

可以蚀刻所述层间绝缘层，当蚀刻所述层间绝缘层时，可以暴露所述上栅电极的边缘部分。

当蚀刻所述源/漏电极原料时，所述上栅电极的所述边缘部分可以与所述源/漏电极原料并发地(例如，同时地)被蚀刻，以暴露所述下栅电极的边缘部分。

所述上栅电极的长度可以比所述下栅电极的长度短。

在蚀刻所述源/漏电极原料之后，可以将所述源电极电连接到所述源区，并可以将所述漏电极电连接到所述漏区，其中，所述源电极和所述漏电极可以围绕所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的侧壁，并且所述接触孔的部分可以保持为空。

形成GOLDD结构的步骤可以包括：通过所述下栅电极的所述边缘部分注入杂质离子，从而可以在所述半导体有源层的与所述下栅电极的所述边缘部分垂直对应的一部分处形成具有低杂质离子浓度的LDD区。

所述下栅电极的所述边缘部分和具有低杂质离子浓度的所述LDD区可以彼此叠置。

所述下栅电极可以包括透明导电膜。

所述上栅电极可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构包括从由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au组成的组中选择的一种，所述多层结构包括Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au的混合物。