[发明专利]半导体元件背面铜金属的改良结构及其加工方法

权利要求书

1.一种半导体元件背面铜金属的改良结构，其特征在于，其包括有：

一基板；

一主动层，是形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；

一背面金属种子层，是形成于该基板的背面，且该背面金属种子层的材料为钯；

至少一热膨胀缓冲层，是形成于该背面金属种子层的下方；以及

一背面金属层，是形成于该热膨胀缓冲层的下方，且该背面金属层的材料为铜；

其中该热膨胀缓冲层的热膨胀系数是介于该背面金属种子层以及该背面金属层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体元件背面铜金属改良结构，其特征在于，该热膨胀缓冲层的材料为镍、银以及镍的合金。

3.根据权利要求1所述的半导体元件背面铜金属改良结构，其特征在于，该热膨胀缓冲层的厚度是在大于0.01μm小于5μm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体元件背面铜金属改良结构，其特征在于，于该背面金属层的下方，进一步包含至少一抗氧化金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体元件背面铜金属改良结构，其特征在于，该抗氧化金属层的材料为镍、金、钯、或镍金、镍钯、钯金的合金。

6.一种半导体元件背面铜金属改良结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一基板正面，形成一主动层，且该主动层是包含有至少一集成电路；

于该基板背面，以曝光显影及蚀刻技术制作出所需数量的背面导孔；

于该基板背面镀上一背面金属种子层，使该背面金属种子层覆盖住该基板的背面以及该背面导孔的孔壁，且该背面金属种子层的材料为钯；

镀上至少一热膨胀缓冲层，使该热膨胀缓冲层覆盖住该背面金属种子层；以及

镀上一背面金属层，使该背面金属层覆盖住该热膨胀缓冲层，该背面金属层的材料为铜；

其中该热膨胀缓冲层的热膨胀系数是介于该背面金属种子层以及该背面金属层之间。

7.根据权利要求6所述的加工方法，其特征在于，该热膨胀缓冲层的材料为镍、银以及镍的合金。

8.根据权利要求6所述的加工方法，其特征在于，该热膨胀缓冲层的厚度是在大于0.01μm小于5μm之间。

9.根据权利要求6所述的加工方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

以曝光显影技术于该背面金属层表面定义出至少一街道状金属层凹槽的位置；

对该背面金属层进行蚀刻，使该蚀刻终止于该热膨胀缓冲层，而于该背面金属层表面形成街道状金属层凹槽；以及

于该背面金属层表面镀上至少一抗氧化金属层，使该抗氧化金属层覆盖住该背面金属层以及该街道状金属层凹槽。

10.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，该抗氧化金属层的材料为镍、金、钯、或镍金、镍钯、钯金的合金。