[发明专利]N-LDMOS的制造方法无效
| 申请号： | 201210114134.7 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623355A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 葛洪涛;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种N-LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；
在所述深N阱中形成隔离结构；
在所述深N阱的漏极区域形成N阱，在所述深N阱的源极区域形成P阱；
在所述深N阱上形成栅极；
进行源漏轻掺杂工艺，在所述P阱和N阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；
在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；
进行源漏重掺杂以及退火工艺。
2.如权利要求1所述的N-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述隔离结构采用浅沟道隔离工艺形成。
3.如权利要求1所述的N-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述P阱和N阱均采用采用光刻和离子注入工艺形成。
4.如权利要求1所述的N-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
5.如权利要求1所述的N-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述源漏重掺杂中离子注入类型为N型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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