[发明专利]半导体集成电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

命令发生单元，所述命令发生单元被配置成响应于第一命令而产生多个第二命令，每个第二命令用于指示相应的反熔丝电路的操作区段；以及

多个反熔丝电路，所述多个反熔丝电路每个都包括反熔丝，且被配置成接收相应的第二命令并且响应于所接收的相应的第二命令而执行所述反熔丝的断裂操作。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一命令与时钟信号同步地触发预定的时间。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一命令的周期被设定成时钟信号的周期的N倍，N为自然数。

4.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述多个第二命令通过将所述第一命令移位而顺序地产生。

5.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述命令发生单元包括：

源信号发生单元，所述源信号发生单元被配置成响应于复位信号和所述第一命令而产生源信号；以及

顺序命令输出单元，所述顺序命令输出单元被配置成响应于所述复位信号而被复位，且被配置成响应于所述第一命令和所述源信号而顺序地输出所述多个第二命令。

6.如权利要求5所述的半导体集成电路，其中，所述源信号发生单元包括RS锁存器。

7.如权利要求5所述的半导体集成电路，其中，所述顺序命令输出单元包括串联耦接的多个D触发器。

8.如权利要求7所述的半导体集成电路，其中，所述顺序命令输出单元还包括反相器，所述反相器被配置成将所述复位信号反相以将反相的复位信号输出至所述D触发器的复位信号输入端子。

9.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述反熔丝电路每个都包括：

电压供应单元，所述电压供应单元被配置成响应于所述相应的第二命令而供应高电源电压；以及

所述反熔丝，所述反熔丝耦接在所述电压供应单元的输出端子与低电源电压的供应端子之间。

10.如权利要求9所述的半导体集成电路，其中，所述高供应电压与低供应电压包括产生于所述半导体集成电路内部的升压电压和反偏置电压。

11.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述反熔丝电路每个都被配置成通过在相应的操作区段期间向所述反熔丝供应高电源电压来对所述反熔丝进行编程。

12.一种用于驱动半导体集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：

响应于复位信号和第一断裂命令而产生断裂源信号；

响应于所述第一断裂命令和所述断裂源信号而顺序地产生多个第二断裂命令，每个第二断裂命令指示用于对相应的反熔丝编程的操作区段；以及

响应于所述第二断裂命令中的每个而对相应的反熔丝进行编程。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一断裂命令从所述复位信号的激活起触发预定的时间。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一断裂命令的周期被设定成时钟信号的周期的N倍，N为自然数。

15.如权利要求12所述的方法，其中，产生所述多个第二断裂命令的步骤包括以下步骤：

将所述断裂源信号顺序地移位所述第一断裂命令的周期；以及

将所述移位的信号输出作为所述第二断裂命令。

16.如权利要求12所述的方法，其中，所述第二断裂命令是响应于所述第一断裂命令的触发而被顺序地激活的，且所述第二断裂命令具有与所述第一断裂命令的周期相对应的激活持续时间。

17.如权利要求12所述的方法，其中，对所述反熔丝编程的步骤包括在各个指示的操作区段期间向所述反熔丝供应高电源电压。