[发明专利]防止铜扩散的方法有效
| 申请号： | 201210113569.X | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377988A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 扩散 方法 | ||
1.一种防止铜扩散的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；
通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。
2.如权利要求1所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，在通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击前，还包括：通过氢气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。
3.如权利要求2所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，通过氢气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击时，氢气的流量在100～2000sccm范围内，压强在1～7torr范围内，功率在100～15000w范围内，时间在1～20s范围内。
4.如权利要求1～3任一项所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气，通过氦气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击时，氦气的流量在100～2000sccm范围内，压强在1～7torr范围内，功率在100～15000W范围内，时间在1～20s范围内。
5.如权利要求1～3任一项所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，通过氩气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击时，氩气的流量在100～2000sccm范围内，压强在1～7torr范围内，功率在100～15000W范围内，时间在1～20s范围内。
6.如权利要求1～3任一项所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击包括：先通过氦气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击，再通过氩气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。
7.如权利要求6所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，通过氦气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击时，氦气的流量在100～1000sccm范围内，压强在1～7torr范围内，功率在500～1500W范围内，时间在10～20s范围内；通过氩气等离子体对所述铜互连线表面进行轰击时，氩气的流量在100～1000sccm范围内，压强在1～7torr范围内，功率在500～1500W范围内，时间在10～20s范围内。
8.如权利要求1所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，在通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击后，还包括：形成覆盖所述介质层和铜互连线表面的阻挡层。
9.如权利要求8所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为掺氮碳化硅。
10.如权利要求8所述的防止铜扩散的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度在150～500埃范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
