[发明专利]一种二氧化硅图形加工的方法

权利要求书

1.一种二氧化硅图形加工的方法，包括如下步骤：

1)在SiO₂衬底上直接生长石墨烯或将石墨烯从其它衬底上转移至SiO₂衬底表面；

2)按所需形状，将石墨烯薄膜图形化；

3)在上述石墨烯层上沉积一层二氧化硅薄膜；

4)用腐蚀溶液刻蚀掉上述二氧化硅薄膜后，石墨烯的图形转移到二氧化硅衬底上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅衬底为表面有热氧化层的单晶硅片、石英、玻璃或沉积有二氧化硅薄层的PET塑料、PDMS等柔软基底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯为单层、双层或多层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成图形化石墨烯层的方法为机械解理或从CVD制备石墨烯所用衬底上转移。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在石墨烯上沉积二氧化硅薄膜用磁控溅射法和等离子增强化学气相沉积。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，二氧化硅薄膜的厚度范围为20nm-100nm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀二氧化硅薄膜的腐蚀溶液为氢氟酸溶液，氢氟酸溶液的水和氢氟酸的体积比在10∶1-3∶1范围。