[发明专利]极紫外光刻胶曝光检测装置与方法

权利要求书

1.一种光刻胶超高真空极紫外曝光处理的检测装置，其特征在于：包括真空系统、质谱系统、中心控制系统，所述中心控制系统通过电脑来集中控制真空系统、质谱系统，进行数据采集与计算，所述检测装置设有极紫外光接口。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于：在所述极紫外光接口和检测样品之间设有光栅。

3.根据权利要求1-2任一项所述的检测装置，其特征在于：所述真空系统包括样品检测腔、真空泵组(优选包括无油干泵、分子泵、离子泵)，在所述样品检测腔和真空泵组之间优选使用插板阀，用于样品检测腔与真空泵组的隔离与连接，所述样品检测腔优选包括真空检测设备(如高精度真空规)。

4.根据权利要求3所述的检测装置，其特征在于：所述真空系统还包括样品置换腔，所述样品置换腔分别与样品检测腔和真空泵组相连，在所述样品置换腔与样品检测腔之间优选使用插板阀，用于样品检测腔与样品置换腔的隔离与连接，所述置换腔优选包括真空检测设备，例如高精度真空规。

5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于：所述样品置换腔与样品检测腔的连接优选使用磁力杆样品输运装置。

6.根据权利要求4-5任一项所述的检测装置，其特征在于：在所述样品置换腔与真空泵组之间还包括插板阀，用于样品置换腔与真空泵组的隔离与连接，所述样品置换腔还包括样品进样窗口。

7.一种光刻胶超高真空极紫外曝光处理所产生的残余气体的检测方法，其特征在于：使用如权利要求1-6任一项所述的检测装置进行检测。

8.根据权利要求7所述的检测方法，通过公式(1)和公式(2)来确定曝光产生气体的速率N_R(molecules·cm^-2·s^-1)和总的产气量N_D(molecules·cm^-2)，

NR=ΔPmaxSeANaRT---(1)]]>

ND=Σt=tstDΔPiSeΔtANaRT---(2)]]>

其中，ΔP_max是极紫外曝光情况下腔内压强的最大升高值(Pa)，S_e是真空泵组的抽气速率(m³·s^-1)，N_a是阿佛加德罗常数(6.022x10²³molecules·mol^-1)，ΔP_i是在起始检测时间t_s(s)到终止检测时间t_D(s)之间腔内特定时刻i时的真空度(Pa)，Δt是曝光时间(s)，A是光刻胶样品的曝光面积(cm²)，R为气体常数(8.314Pa·m³·K^-1·mol^-1)，T为温度(K)。