[发明专利]一种红外辐射加热器陶瓷加热芯的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210112744.3 申请日: 2012-04-10
公开(公告)号: CN102701743A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 李天平;张华;周茂霞 申请(专利权)人: 山东师范大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B41/86;H05B3/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250014 山东省济南市历下区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 红外 辐射 加热器 陶瓷 加热 制作方法
【权利要求书】:

1.一种红外辐射加热器陶瓷加热芯的制作方法,它有碳化硅陶瓷加热芯(1),其特征在于:在碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面均附着有二氧化硅玻璃层(2),其制作方法如下:

①采用碳化硅晶体制作陶瓷加热芯,用功率为1-1.3KW、功率密度为35-45×105W/cm3的激光束以30mm/秒的加工速度照射碳化硅陶瓷加热芯(1)内外表面,使碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面光滑、均匀一致;

②在步骤①中被激光照射后的碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面喷涂60-90μm厚的硅化钼层,将喷涂硅化钼层的碳化硅陶瓷加热芯(1)置于烘干炉中,在180-200℃的温度中烘干1.9-2.1小时,得到带有硅化钼层的碳化硅陶瓷加热芯(1);

③将步骤②中带有硅化钼层的碳化硅陶瓷加热芯(1)在空气中常温下通电,使碳化硅晶体发热至1680-1750℃,并保温通电5分钟,使碳化硅陶瓷加热芯(1)内外表面的硅化钼与空气中的氧气反应生成二氧化硅,反应生成的二氧化硅生长在碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面,形成二氧化硅致密膜层,在碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面得到二氧化硅基底层;

④再将步骤③中得到内、外表面带有二氧化硅基底层的碳化硅陶瓷加热芯(1)置入二氧化硅熔炉中,二氧化硅熔炉中通入0.01MPa的氖气,并在二氧化硅熔炉中装入1600℃的二氧化硅熔融物,将带有二氧化硅基底的碳化硅陶瓷加热芯(1)浸入1600℃的二氧化硅熔融物中,保温5分钟后取出,冷却至1460℃,使二氧化硅熔炉中的二氧化硅分子键聚在基底上,形成二氧化硅玻璃层雏形;

⑤将步骤④中1460℃的带有二氧化硅玻璃层雏形的碳化硅陶瓷加热芯(1)移至脱羟炉内,逐步降温至室温,在碳化硅陶瓷加热芯(1)内、外表面上得到厚度为200-600μm的二氧化硅玻璃层(2)。

2.根据权利要求1所述的一种红外辐射加热器陶瓷加热芯的制作方法,其特征在于:二氧化硅玻璃层(2)的厚度为300-500μm。

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