[发明专利]一种发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供一图形蓝宝石衬底，于所述图形蓝宝石衬底上形成保护层，以平坦化所述图形蓝宝石衬底；

2)按预设路径对所述图形蓝宝石衬底进行激光内切处理，以在所述图形蓝宝石衬底内部形成内切图案，然后去除所述保护层；

3)在具有内切图案的图形蓝宝石衬底上表面依次形成N-GaN层、量子阱层、及P-GaN层及透明导电层；

4)依据所述内切图案定义出多个发光二极管阵列，并于各该阵列上制备P电极及N电极；

5)从所述图形蓝宝石衬底下表面对所述图形蓝宝石衬底进行减薄，直至露出所述图形蓝宝石衬底内部的内切图案；

6)依据所述内切图案进行裂片，以完成所述发光二极管的制造。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护层为用于降低所述图形蓝宝石衬底对激光的漫反射作用的保护胶。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护胶由体积比为1∶2～3∶8～15的丙二醇甲醚醋酸酯、压克力树脂、异丙醇混合而成。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述激光内切处理为通过控制激光的波段、频率、功率向所述图形蓝宝石衬底发射激光脉冲，以使所述图形蓝宝石衬底的内部结构产生应变或松弛。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤1)中采用皮秒激光器对所述图形蓝宝石衬底进行激光内切处理。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述激光内切处理采用的激光波段为1064nm，激光频率为50～100KHz，激光功率为0.5～10W。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述内切图案的平面形状为矩形、正方形或三角形。

8.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述内切图案的中心平面离所述图形蓝宝石衬底上表面的距离为10～400um。

9.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述内切图案的厚度为3～12um。

10.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述内切图案由多个结构松弛的微型腔体间隔排列而成，且相邻两微型腔体的中心距离为1～20um。

11.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤3)中，先刻蚀各该发光二极管阵列以获得欲制备N电极的N-GaN平台，然后于所述N-GaN平台制备N电极，并于所述透明导电层上制备P电极。

12.根据权利要求1～6任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤5)中，沿所述图形蓝宝石衬底露出的内切图案对所述图形蓝宝石衬底及阵列进行剥离，以获得多个与所述内切图案形状一致的发光二极管芯片。