[发明专利]一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法

权利要求书

1.一种InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在InP衬底上生长一层InP缓冲层；

步骤二：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤一的InP缓冲层表面从下至上依次生长至少一层InAsP过渡层，每层InAsP过渡层与所述InP衬底存在晶格失配度；

步骤三：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤二的InAsP过渡层上生长InGaAs电池层，获得目标产品。

2.根据权利要求1所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，所述InAsP过渡层的晶格失配度逐层增加。

3.根据权利要求2所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，所述步骤二中每个所述InAsP过渡层由上补偿层及下补偿层组成；先生长的下补偿层比后生长的上补偿层晶格失配度大，且两者晶格失配度不超过0.2%。

4.根据权利要求3所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，不同的InAsP过渡层之间相邻的上补偿层及下补偿层晶格失配度相差不超过0.4%。

5.根据权利要求3所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，与所述InGaAs电池层相邻的InAsP过渡层其上补偿层与下补偿层之间的晶格失配度不超过0.05%。

6.根据权利要求5所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，所述上补偿层或下补偿层的厚度为150~200nm。

7.根据权利要求6所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，所述InP缓冲层的厚度为50~500nm。

8.根据权利要求7所述的InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，所述InP衬底与InGaAs电池层的晶格失配度为1.3%。

9.一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构，包括底层InP衬底及顶层InGaAs电池层，其特征在于，在InP衬底及InGaAs电池层之间依次层叠InP缓冲层以及至少一层与所述InP衬底存在晶格失配度的InAsP过渡层。

10.根据权利要求9所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，所述InAsP过渡层的晶格失配度逐层增加。

11.根据权利要求10所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，所述步骤二中每层InAsP过渡层由上补偿层及下补偿层组成；先生长的下补偿层比后生长的上补偿层晶格失配度大，且两者晶格失配度不超过0.2%。

12.根据权利要求11所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，不同的InAsP过渡层之间相邻的上补偿层及下补偿层晶格失配度相差不超过0.4%。

13.根据权利要求10所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，与所述InGaAs电池层相邻的InAsP过渡层的上补偿层与下补偿层之间的晶格失配度不超过0.05%。

14.根据权利要求12所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，所述补偿层的厚度为150~200nm。

15.根据权利要求14所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，所述InP缓冲层的厚度为50~500nm。

16.根据权利要求15所述的InP衬底生长InGaAs电池层的结构，其特征在于，所述InP衬底与InGaAs电池层的晶格失配度为1.3%。