[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201210111757.9 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN102681277A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 铃木照晃 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极和与所述像素电极形成多维电场的公共电极,其特征在于,所述数据线上方形成有覆盖所述数据线的树脂图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:有源层图形、栅极、源极和漏极,所述栅极与所述栅线同层设置,所述源极、所述漏极与所述数据线同层设置;

所述栅线和所述栅极形成于所述衬底基板上,所述栅线上形成有栅绝缘层,所述有源层图形形成于所述栅绝缘层上且位于所述栅极的上方,所述数据线形成于所述栅绝缘层上;

所述源极的一端形成于所述有源层图形上,所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上且与所述数据线连接;

所述漏极的一端形成于所述有源层图形上,所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上,所述像素电极上形成有钝化层,所述钝化层覆盖所述衬底基板,所述树脂图形形成于所述钝化层上。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极部分形成于所述钝化层上,部分形成于所述树脂图形上。

5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板,其特征在于,所述树脂图形的宽度大于所述数据线的宽度。

6.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板,其特征在于,所述树脂图形的横截面的形状为半圆形。

7.一种液晶显示面板,其特征在于,包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层;

所述阵列基板采用上述权利要求1至6任一所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极,所述栅线和所述数据线限定出像素区域,所述薄膜晶体管、所述像素电极和所述公共电极位于所述像素区域内,所述树脂图形位于所述数据线上方并覆盖所述数据线。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极包括:

在所述衬底基板上形成所述栅线和所述栅极,所述栅极和所述栅线连接;

在所述衬底基板上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述衬底基板;

在所述栅绝缘层上形成所述有源层图形,所述有源层图形位于所述栅极的上方;

在所述衬底基板上形成所述数据线、所述源极和所述漏极,所述源极的一端形成于有源层图形上,所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上且与所述数据线连接,所述漏极的一端形成于所述有源层图形上,所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上;

在所述衬底基板上形成所述像素电极,所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上;

在所述衬底基板上形成钝化层,所述钝化层覆盖所述衬底基板;

在所述钝化层上形成所述树脂图形;

在所述衬底基板上形成所述公共电极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述公共电极部分形成于所述钝化层上,部分形成于所述树脂图形上。

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