[发明专利]一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法

权利要求书

1.一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，包括铸造的步骤、真空高温回火的步骤、细化铸锭组织的步骤、对细化组织后的铸锭进行热变形调控磁织构的步骤和对取向后的铸锭进行真空低温回火改善晶界结构的步骤，其特征在于：在对细化组织后的铸锭进行热变形处理后，增加对热变形后的铸锭进行真空强磁场热处理的步骤，进一步强化磁织构，制得取向完整的铸态磁体，所述的强磁场热处理工艺参数为：磁场强度为2-20T，热处理温度为500-900℃，热处理时间为1-4h。

2.如权利要求1所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其具体步骤为：

1) 按照磁体成分称量各元素原料，将其混合；

2) 将混合原料放入真空熔炼炉中进行熔炼，待精炼后进行浇注，获得铸锭；

3) 将铸锭进行真空高温回火，消除α-Fe，均匀化组织；

4) 将均匀化后的铸锭用塑韧性金属包套并预热，然后进行背压-等通道转角大塑性变形，细化铸锭组织；

5) 将细化组织后的铸锭进行热变形，调控磁织构；

6) 将热变形后的铸锭进行真空强磁场热处理，进一步强化磁织构，制得取向完整的铸态磁体；

7) 将取向后的磁体进行真空低温回火，改善晶界结构，获得高性能的磁体。

3.如权利要求1或2所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述的磁体为中稀土含量磁体，其成分的原子百分比为Nd_aR_bFe_100-a-b-c-dB_cM_d，其中12≤a+b≤16，0.1≤b≤5，5≤c≤6.5，0.1≤d≤4，R为Pr、Dy、Tb、Ho、Gd元素中的一种或几种，M为Al、Cu、Ga、Mg、Zn、Sn、Si、Co、Ni、Nb、Zr、Ti、W、V、Hf元素中一种或几种。

4.如权利要求2所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述的高温回火温度为1000-1050℃，回火时间为4-10h。

5.如权利要求2所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述的包套用塑韧性金属材料为低碳钢、纯铜或纯铝，预热温度为450-700℃；所述的背压-等通道转角大塑性变形工艺参数为：通道夹角Φ为110°-135°，外接角Ψ为10°-45°，挤压路径为Bc，挤压道次N为1-10，背压为45-200MPa。

6.如权利要求2所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述的热变形工艺参数为：温度为650-1000℃，压力为50-300MPa。

7.如权利要求2所述的一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述的低温回火温度为480-650℃，回火时间为0.5-4h。