[发明专利]一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210111031.5 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102644050A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 颜国君 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/58;C23C8/24;C23C8/80 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 aln gan 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，具体按以下步骤实施：
步骤1，称取原料，
按物质的量之比为3∶7～7∶3称取A组分和B组分，
A组分为Al或Ga，
B组分为Mg、Li或Ca中任一种，或任意两种或三种以任意比例的组合；
步骤2，制备合金薄膜，
将A组分与B组份同时向基片上沉积，制得合金薄膜；
步骤3，合金薄膜氮化，
把合金薄膜连同基片材料在真空气氛炉中，在氮气或氨气气氛中，以150～300℃/h的加热速度从室温加热到700℃～1000℃后，在700℃～1000℃的温度下保温氮化3h～10h，以获得合金氮化物薄膜；
步骤4，酸洗，
将氮化得到的合金氮化物薄膜连同基片冷却到室温后，浸泡到酸中1h～3h，使B组份的氮化物充分溶解到酸中，得到多孔薄膜；
步骤5，清洗、干燥，
把经酸洗得到的多孔薄膜浸泡以去除薄膜孔中的酸溶液，并进行干燥，即可。
2.根据权利要求1所述的多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤2中，采用磁控溅射镀膜技术或真空蒸镀镀膜技术将A组分与B组份同时向基片上沉积，获得合金薄膜。
3.根据权利要求1所述的多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中酸的浓度为0.1M～1M的稀盐酸或浓度为0.1M～1M稀硫酸。
4.根据权利要求1所述的多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中的基片为蓝宝石、碳化硅或Si单晶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210111031.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
