[发明专利]一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法无效
| 申请号： | 201210110866.9 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102856161A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 多层 绝缘体 电容器 制作方法 | ||
1.一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氮化硅层，所述氮化硅层包括金属-氧化物-金属区域的第一氮化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氮化硅层；
刻蚀去除所述第二氮化硅层；
在所述非金属-氧化物-金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层；
在所述第一氮化硅层上进行光刻图案化工艺，在所述第一氮化硅层中形成第一金属槽，并且对所述第一氮化硅层进行刻蚀，在水平方向上减薄所述第一氮化硅层；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一氮化硅层表面沉积一层氧化硅层，并且刻蚀所述氧化硅层去除水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；
刻蚀所述第二低介电常数介质层，形成第二金属槽；
向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。
2.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳。
3.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，含氧气体处理的气体流量在2000至6000sccm，处理温度为300℃至600℃。
4.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，所述沉积步骤采用等离子体增强型化学气相沉积工艺。
5.如权利要求4所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在沉积氧化硅的步骤的采用等离子体增强型化学气相沉积工艺中，其反应气体包括硅烷和一氧化二氮，其中，所述硅烷的流量在25sccm至600sccm，所述一氧化二氮的流量为9000sccm-20000sccm,所述硅烷和所述一氧化二氮的流量之比的取值范围为1:15至1:800，成膜速率为10纳米/分钟至5000纳米/分钟。
6.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在沉积氮化硅的步骤中，采用等离子体增强型化学气相沉积工艺，其反应气体包括硅烷和氨气，在等离子体环境中进行反应生成氮化硅薄膜。
7.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，每次氮化硅或氧化硅的沉积厚度为1纳米至10纳米。
8.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，进行金属填充工艺步骤中包括进行铜互连工艺的铜的扩散阻挡层沉积、铜电镀、铜金属层化学机械研磨工艺步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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