[发明专利]晶振晶体片的真空镀膜方法无效
| 申请号： | 201210110493.5 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102618834A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱木典 | 申请（专利权）人： | 东海县海峰电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 真空镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶振晶体片的真空镀膜方法，其特征在于：它以硅酸镓镧晶体片或者二氧化硅晶体片为载体，采用蒸镀的方式先在晶体片的正反两面镀上镍材料膜，然后在镍材料膜上镀上银材料膜；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，先将镍材料置于分子泵镀膜机内两个钼舟的一个上；启动分子泵镀膜机，在真空状态下加热放置镍材料的钼舟，至镍材料升华并镀至晶体片的一面上形成镍膜后，翻转夹具，采用相同的方式将镍材料镀至晶体片的另一面上；然后重新启动设备，再将银材料置于分子泵镀膜机内两个钼舟的另一个上，在真空状态下加热放置银材料的钼舟，采用相同的方式分别在镍膜上镀上银膜，即可。
2.根据权利要求1所述的晶振晶体片的真空镀膜方法，其特征在于：镀膜时，分子泵镀膜机的真空度为1.3×10-2 ~6.7×10-3 Mpa。
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