[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件

权利要求书

1.一种负磁导率超材料，包括至少一层具有负磁导率的超材料层，所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，其特征在于，所述第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，所述第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，所述第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，所述第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，所述第二人造微结构单元的形状为所述第一人造微结构单元的形状绕所述环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状。

2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构上覆有保护层。

3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层的厚度为0.08-0.12mm。

4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层的介电常数为4-8。

5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层的损耗正切值为0.010-0.015。

6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层为有机高分子材料或陶瓷材料。

7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的厚度为0.008-0.015mm。

8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的介电常数为14-20。

9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的损耗正切值为0.003-0.007。

10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构的线宽为0.1-0.3mm。

11.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构的线间距为0.05-0.15mm。

12.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构的线厚度为0.03-0.05mm。

13.一种MRI磁信号增强器件，设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件为超材料，所述超材料在MRI成像设备的磁信号工作频率下具有负磁导率。

14.根据权利要求13所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述超材料为权利要求1至12任一所述的负磁导率超材料。