[发明专利]输出阻抗测试装置

权利要求书

1.一种输出阻抗测试装置，用于测试一电压调整模块的输出阻抗，其特征在于：所述输出阻抗测试装置包括主控制器、负载电流调节电路、电压采样电路以及电流采样电路；所述电压采样电路电性连接至所述电压调整模块，用于测试所述电压调整模块的瞬时交流输出电压并输出至所述主控制器；所述电流采样电路电性连接至所述电压调整模块以及主控制器，用于配合所述主控制器测试所述电压调整模块的瞬时输出电流；所述主控制电性连接至所述电压采样电路以及所述负载电流调节电路，用于控制所述负载电流调节电路改变所述电压调整模块的输出电流的大小，直到所述瞬时交流输出电压与一预设的基准电压相等，并输出此时的瞬时交流输出电压与瞬时输出电流之商，即为所述电压调整模块的临界输出阻抗。

2.如权利要求1所述的输出阻抗测试装置，其特征在于：所述负载电流调节电路包括电压调节芯片、第一运算放大器、N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及至少一个限流电阻，所述电压调节芯片与所述主控制器之间进行串行数据的通信，并根据接收到的不同的串行数据输出相应的输出电压；所述第一运算放大器的同相输入端电性连接至所述电压调节芯片的输出端，反相输入端电性连接至所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，输出端电性连接至所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电性连接至所述电压调整模块的输出端；所述限流电阻电性连接及所述第一比较器的反相输入端与所述源极之间的节点与地之间；所述第一比较器用于驱动所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管导通，并根据所述电压调节芯片的输出电压的增加而相应增加所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的电流。

3.如权利要求2所述的输出阻抗测试装置，其特征在于：所述负载电流调节电路还包括第二运算放大器及第一滤波电容，所述第二运算放大器的同相输入端电性连接至所述电压调节芯片的输出端，所述第二运算放大器的反相输入端与输出端相互短接，所述第二运算放大器输出端还电性连接至所述第一运算放大器的同相输入端；所述滤波电容电性连接至所述电压调节芯片的输出端及第二运算放大器的同相输入端之间的节点与地之间；所述第二运算放大器及第一滤波电容用于对所述电压调节芯片的输出电压进行低通滤波后输出至所述第一运算放大器。

4.如权利要求3所述的输出阻抗测试装置，其特征在于：所述负载电流调节电路还包括分压电路，所述分压电路包括相互串联至所述第二运算放大器的输出端与地之间的第一分压电阻与第二分压电阻；所述第一运算放大器的同相输入端电性连接至第一分压电阻与第二分压电阻之间的节点。

5.如权利要求1所述的输出阻抗测试装置，其特征在于：所述电压采样电路包括隔直电容、第三运算放大器以及第四运算放大器；所述隔直电容电性连接至所述电压调整模块的输出端以及所述第三运算放大器的同相输入端之间；所述第三运算放大器的反相输入端及输出端相互短接；所述第四运算放大器的同相输入端通过所述第一电阻接地，反相输入端分别通过第二电阻及第三电阻电性连接至所述第三运算放大器的输出端以及第四匀运算放大器的输出端，所述第四运算放大器的输出端还电性连接至所述主控制器；所述隔直电容用于隔离所述电压调整模块输出的直流电压；所述第三运算放大器用于对所述电压调整模块输出的交流电压进行高通滤波；所述第四运算放大器用于对所述交流电压进行放大，并将放大后的交流电压输出至所述主控制器。

6.如权利要求1所述的输出阻抗测试装置，其特征在于：所述电流采样电路包括电流检测电阻以及电压采样放大单元，所述电流检测电阻电性连接至所述电压调整模块的输出端以及所述负载电流调节模块之间，所述电压采样放大单元用于检测所述电流检测电阻两端的电压并将该电压进行放大后输出至所述主控制器，所述主控制器将所述电压采样放大单元输出的模拟电压信号进行摸数转换后，除以所述电流检测电阻的阻值以及所述电压采样放大单元的放大倍数，则可得到所述电压调整模块输出的瞬时输出电流。