[发明专利]肖特基位障二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210109360.6 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378133A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 管杰雄;廖庭维;邱建维;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基位障 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种肖特基位障二极管，其特征在于，包含：
一半导体层，具有多个开口，以形成一开口矩阵；以及
一阳极，具有形成于该多个开口中的多个导电突出部，以形成一导电矩阵；
其中，该半导体层与该阳极间，形成肖特基接触。
2.如权利要求1所述的肖特基位障二极管，其中，该半导体层包括一氮化镓层或硅层。
3.如权利要求1所述的肖特基位障二极管，其中，该多个开口由该半导体层一上表面向下，利用一微影制程与一蚀刻制程所形成的纳米洞结构。
4.如权利要求1所述的肖特基位障二极管，其中，还包含一导电层，形成于该半导体层上，并与该半导体层间，形成欧姆接触。
5.如权利要求1所述的肖特基位障二极管，其中，该开口平均直径不大于300nm，开口与开口间的中心距离不大于1um，开口由该半导体层一上表面向下深度介于50nm至200nm。
6.一种肖特基位障二极管制造方法，其特征在于，包含：
提供一半导体层；
自该半导体层一上表面向下，形成多个开口，进而形成一开口矩阵；以及
形成多个导电突出部于该多个开口中，以形成一导电矩阵，进而形成一阳极；
其中，该半导体层与该阳极间，形成肖特基接触。
7.如权利要求6所述的肖特基位障二极管制造方法，其中，该半导体层包括一氮化镓层或硅层。
8.如权利要求6所述的肖特基位障二极管制造方法，其中，该形成该多个开口的步骤，包括由该上表面向下，利用一微影制程与一蚀刻制程所形成的纳米洞结构。
9.如权利要求6所述的肖特基位障二极管制造方法，其中，还包含形成一导电层于该半导体层上，且该导电层与该半导体层间，形成欧姆接触。
10.如权利要求6所述的肖特基位障二极管制造方法，其中，该开口平均直径不大于300nm，开口与开口间的中心距离不大于1um，开口由该半导体层一上表面向下深度介于50nm至200nm。
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