[发明专利]一种单晶硅铸锭装料方法有效
| 申请号： | 201210109230.2 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102732945A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 司佳勇;吴博娜;史记全 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 铸锭 装料 方法 | ||
1.一种单晶炉铸锭装料方法，其特征在于，包括：
在坩埚底部平铺流化床层，所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料；
在所述流化床层与坩埚液位线之间铺设由棒形硅料、中块硅料以及碎多晶棒形硅料构成的第一混合层；
在所述第一混合层上铺设由大块硅料以及中块硅料构成的第二混合层，所述第二混合层上部以圆锥状堆放；
其中，所述第一混合层的硅料之间缝隙以及第二混合层的硅料之间缝隙通过流化床和/或小块硅料填充；所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料；所述小块硅料尺寸为10mm-20mm；所述中块硅料尺寸为30mm-50mm；所述大块硅料尺寸为50mm-75mm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大块硅料和棒形硅料的含量为35％-45％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一混合层的铺设方式为：
将所述棒形硅料呈多边形摆放在所述流化床层上方且与坩埚壁不接触，然后使用中块硅料以及碎多晶棒形硅料填充所述棒形硅料与坩埚壁、所述棒形硅料之间的间隙以及所述多边形所包围区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二混合层在距坩埚口60mm-80mm处以圆锥状收起堆放。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过流化床和/或小块硅料填充所述第一混合层以及第二混合层两层之间缝隙。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流化床层中流化床的含量为5％-10％。
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