[发明专利]半导体器件、显示装置和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括像素，所述像素包含第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，

其中所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与像素电极电连接，

所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述第一晶体管的栅电极电连接，并且

所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述像素电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个与电源线电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第三晶体管的源电极和漏电极中的另一个与电势供应线电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中输入到所述电源线的电势具有两个值V1和V2，

V1是在V2和输入到所述电势供应线的电势之间的电势，并且

V1和输入到所述电势供应线的电势之间的差大于所述第一晶体管的阈值电压的绝对值。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中V1是比输入到所述电势供应线的电势高的电势，并且

V2高于V1。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中V1是比输入到所述电势供应线的电势低的电势，并且

V2小于V1。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个与所述电源线电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电容器，

其中所述电容器的第一电极与所述第一晶体管的源电极和漏电极中的所述一个电连接，并且

所述电容器的第二电极与所述第一晶体管的栅电极电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述第一晶体管是n-沟道晶体管。

10.一种包含根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的显示装置。

11.一种在显示部分包含根据权利要求10所述的显示装置的电子装置。

12.一种半导体器件，包括像素，所述像素包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，

其中所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与像素电极电连接，

所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述第一晶体管的栅电极电连接，并且

所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述像素电极电连接，并且

所述第四晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述第一晶体管的栅电极电连接。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述第四晶体管的源电极和漏电极中的另一个与信号线电连接。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个与电源线电连接。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，

其中所述第三晶体管的源电极和漏电极中的另一个与电势供应线电连接。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，

其中输入到所述电源线的电势具有两个值V1和V2，

V1是在V2和输入到所述电势供应线的电势之间的电势，并且

V1和输入到所述电势供应线的电势之间的差大于所述第一晶体管的阈值电压的绝对值。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，

其中V1是比输入到所述电势供应线的电势高的电势，并且

V2高于V1。

18.根据权利要求16所述的半导体器件，

其中V1是比输入到所述电势供应线的电势低的电势，并且

V2小于V1。

19.根据权利要求14所述的半导体器件，

其中所述第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个与所述电源线电连接。

20.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括电容器，

其中所述电容器的第一电极与所述第一晶体管的源电极和漏电极中的所述一个电连接，并且

所述电容器的第二电极与所述第一晶体管的栅电极电连接。